知的財産権
公開件数:192件
No. 名称 出願番号 公開番号 登録(特許)番号
1 深紫外発光素子及びその製造方法
特願2009-278130



2 電子素子および電子素子の製造方法
2008-265106
2009-111377


3 ELECTRONIC DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING ELECTRONIC DEVICE
US20080194106

US2009139752 (A1)

4 透明電極およびその製造方法
2007-326768
2009-151963


5 Ultraviolet light-emitting device in which p-type semiconductor is used
US20070907280

US2008042162 (A1)

6 METHOD OF FORMING MINUTE PATTERN
US20070845618

US2008203620 (A1)

7 METHOD OF MANUFACTURING A REPLICA MOLD AND A REPLICA MOLD
US20070845621

US2008203271 (A1)

8 MATERIAL FOR HIGH REFRACTIVE INDEX GLASS, HIGH REFRACTIVE INDEX GLASS OBTAINED FROM THE MATERIAL, AND METHOD OF PATTERNING HIGH REFRACTIVE INDEX GLASS
US20070845623

US2008202163 (A1)

9 構造性複屈折波長板
2007-225162
2009-59409


10 高屈折率組成物
2007-225161
2009-57442


11 フオトニツク結晶
2007-160407
2007-286635


12 フオトニツク結晶
2007-71262
2007-148463


13 高屈折率ガラス用材料、該材料から得られた高屈折率ガラス、および高屈折率ガラスのパタ-ニング方法
2007-46970
2008-208234


14 レプリカモ-ルドの製造方法およびレプリカモ-ルド
2007-46969
2008-207475


15 微細パタ-ン形成方法
2007-46968
2008-211029


16 真空加熱プレス機
2007-18879
2008-183587


17 薄膜半導体装置の製造方法および薄膜半導体装置
2007-17454
2008-186885


18 Organic Thin Film Transistor and Method for Surface Modification of Gate Insulating Layer of Organic Thin Film Transistor
US20060065416

US2008315190 (A1)

19 METHOD OF FORMING FINE PATTERN
US20060065246

US2009039563 (A1)

20 有機薄膜トランジスタおよび有機薄膜トランジスタにおけるゲ-ト絶縁層の表面改質方法
2007-533210
WO07/026608


21 微細パタ-ン形成方法
2007-533209
WO07/026605


22 PHOTONIC CRYSTAL AND METHOD FOR PRODUCING SAME
WO2006JP305207

WO2006103938 (A1)

23 NITRIDE-BASED DEEP ULTRAVIOLET LUMINESCENT ELEMENT AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
WO2006JP306052

WO2006104063 (A1)

24 窒化物系深紫外発光素子およびその製造方法
2007-510466
WO06/104063


25 フオトニツク結晶およびその製造方法
2007-510380
WO06/103938


26 レ-ザ-リフトオフ法およびレ-ザ-リフトオフ装置
2005-342734
2007-149988


27 Charged particle beam apparatus and method of forming electrodes having narrow gap therebetween by using the same
US20050196094

US2006038137 (A1)

28 薄膜トランジスタおよびその製造方法
2005-248571
2007-67024


29 紫外発光素子およびInAlGaN発光層の製造方法
2005-226357
2005-340856
3858042

30 FINE PATTERN FORMING METHOD AND FINE PATTERN FORMING DEVICE
WO2005JP11925

WO2006003921 (A1)

31 AlGaN系深紫外発光素子およびその製造方法
2005-93028
2006-278554


32 フオトニツク結晶導波路のフオトニツクバンド構造の測定方法およびその装置
2005-91076
2006-275568


33 窒化物半導体の製造方法
2005-90952
2006-278402


34 有機EL素子
2005-29547
2006-216858


35 トツプコンタクト型電界効果トランジスタの製造方法およびトツプコンタクト型電界効果トランジスタ
2005-27034
2006-216718


36 Three-dimensional photonic crystal and process for production thereof as well as probe used therefor
US20050033296

US2005122568 (A1)

37 半導体成長用基板および半導体膜の製造方法
2004-374976
2006-185962


38 Terminal and thin-film transistor
H01L51/05B2; H01L51/00A8; H01L51/05B2B6

US2004245527 (A1)

39 荷電粒子ビ-ム装置およびそれを用いた狭ギヤツプ電極形成方法
2004-240998
2006-59701


40 微細パタ-ン形成方法および微細パタ-ン形成装置
2004-195131
2006-19464


41 フオトニツク結晶構造を有する光素子
2004-109454
2005-250429


42 フオトニツク結晶
2003-307719
2004-133429
3998064

43 有機材料パタ-ンの形成方法及び薄膜トランジスタの製造方法
2003-305844
2005-79225


44 薄膜トランジスタ。
2003-154841
2004-356530
4036454

45 p型半導体を用いた紫外発光素子
2003-17397
2004-228489


46 半導体の不純物ド-ピング方法およびその装置
2003-16940
2004-228455
4199014

47 Three-dimensional photonic crystal and process for production thereof as well as probe used therefor
G02B6/122P; G02B6/13

US2003020501 (A1)

48 原子層成長による薄膜形成方法
2002-187362
2003-51450
3668802

49 薄膜測定装置
2002-128854
2003-322617


50 Laser and method for production thereof
H01S3/063F

US2003118064 (A1)

51 Low dislocation buffer and process for production thereof as well as device provided with low dislocation buffer
H01L21/20B6B2; H01L21/20B6B6

US2002100412 (A1)

52 物性測定装置
2001-279406
2003-83867
3628640

53 3次元フオトニツク結晶およびその製造方法ならびにプロ-ブ
2001-228287
2003-43274


54 結晶成長装置および結晶成長方法
2001-168784
2002-367907


55 カ-ボンナノチユ-ブ作製用触媒パタ-ン
2001-135590
2002-285335
3463092

56 短焦点レンズ集光型発光ダイオ-ド照明装置
2001-92337
2002-289015
3673943

57 InAlGaN EMITTING LIGHT IN SHORT-WAVELENGTH REGION OF ULTRAVIOLET REGION, ITS MANUFACTURING METHOD AS WELL AS ULTRAVIOLET LIGHT-EMITTING ELEMENT USING THE SAME
KR20010008761

KR20010085447 (A)

58 Impurity doping method for semiconductor as well as system therefor and semiconductor materials prepared thereby
C30B25/02; C30B25/14; C30B29/40B; C30B29/40B2; H01L21/205C6

EP1184489 (A2)

59 METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR LAYER
KR20000076710

KR20010062441 (A)

60 低転位バツフア-およびその製造方法ならびに低転位バツフア-を備えた素子
2000-368566
2002-170776


61 半導体層の形成方法
2000-279557
2002-93720
3982788

62 半導体の不純物ド-ピング方法、その装置および半導体材料
2000-264743
2002-75879


63 Single-flux-quantum digital device
H01L39/22D

US6353330 (B1)

64 紫外発光素子およびInAlGaN発光層の製造方法
2000-45318
2001-237455
3726252

65 物質層形成装置
2000-40355
2001-230210
3536057

66 半導体層の形成方法
11-354563
2001-176804
3809464

67 位置制御された液滴エピタキシ-による窒化物半導体の量子ドツトの形成方法、量子コンピユ-タにおける量子ビツト素子構造および量子相関ゲ-ト素子構造
11-124378
2000-315654
3415068

68 液滴エピタキシ-による窒化物半導体の量子ドツトの形成方法
11-124187
2000-315653
3536056

69 単一磁束量子デイジタル素子
11-40141
2000-244308
3519303

70 レ-ザ-およびその製造方法
10-372032
2000-196191
3076019

71 物体表面の洗浄および状態判定方法ならびにその装置
10-315751
2000-140781


72 量子コンピユ-タにおける量子ビツト素子構造および量子相関ゲ-ト素子構造
10-232590
2000-68495
3656152

73 発光素子用窒化物半導体及びその製造方法
10-217132
2000-49378


74 非発光過程走査プロ-ブ顕微鏡
10-216985
2000-46715


75 III族窒化物系量子ドツト構造を有する半導体発光素子の製造方法
10-156108
11-354843


76 GaN系半導体発光素子
10-156104
11-354842


77 GaN系量子ドツト構造の製造方法およびその用途
10-155841
11-354840
3667995

78 GaN系半導体発光素子
10-155838
11-354839
3660801

79 薄膜の形成方法および薄膜の形成装置
09-309848
11-131229


80 X-ray generating apparatus and X-ray microscope
H05G2/00P; G21K7/00

US6157701 (A)

81 SiCハイブリツド基板及びその製造方法
09-91591
10-270368


82 マルチステツプ構造体及び極短波光用回折格子並びにその製造方法
09-87462
10-268118
3455390

83 量子ドツト形成方法及び量子ドツト構造体
08-233442
10-79501
3987898

84 X-ray microscope
G21K7/00

US5832052 (A)

85 微小トンネル接合の形成方法及び微小トンネル接合素子
08-158078
10-12860


86 X-ray generating apparatus and X-ray microscope
H05G2/00P; G21K7/00

US5680429 (A)

87 希土類元素ド-プSi材料およびその製造方法
08-132846
09-295891
3600872

88 GaN薄膜の形成方法
08-45405
09-219540


89 半導体レ-ザ
07-217276
09-64458
3785503

90 X線顕微鏡
07-159143
09-5500


91 Apparatus for CFC-free laser surface cleaning
B08B7/00S2; B23K26/06F

US6291796 (B1)

92 X線顕微鏡及びX線発生装置
07-5477
08-194100


93 X線発生装置
07-5465
08-195533


94 電子ビ-ム励起プラズマ発生装置
06-282280
08-138598


95 プラズマ発生方法およびそれを用いた成膜方法、エツチング方法、半導体堆積方法ならびにド-ピング方法
06-244764
07-335395


96 化合物半導体のドライ・エツチング方法
06-238603
08-78399
3498810

97 基板表面薄膜パタ-ンの形成方法
06-175990
08-22968
3222326

98 電子ビ-ム励起イオンプラズマ発生装置
06-165753
08-17377


99 電子ビ-ム励起プラズマスパツタリング装置
06-165752
08-13144
3639850

100 プラズマCVD方法及び装置
06-165751
08-13151
3595819

101 電子ビ-ム励起プラズマ発生装置
06-165750
08-17594
2860253

102 プラズマ再結合X線レ-ザ-露光装置
06-143632
08-17701
3370778

103 音波を用いた基板表面状態検出方法およびその装置
06-129753
07-311181
3199147

104 パルス・レ-ザによる基板表面薄膜の除去方法
06-120796
07-307314
3222316

105 X線源
06-97143
07-306300


106 加工用中性ビ-ム発生方法
06-82654
07-273072


107 電子ビ-ム励起イオンプラズマ発生装置
06-82653
07-272659
3397438

108 電子ビ-ム励起プラズマ発生装置
06-82652
07-272658


109 電子ビ-ム励起イオン照射装置
06-82651
07-272669
3397437

110 電子ビ-ム励起プラズマ発生装置
06-81096
07-272895


111 電子ビ-ム励起イオン照射装置
06-81095
07-21957
3434568

112 小型電子ビ-ム励起プラズマ発生装置
06-81094
07-272894
2992193

113 可視発光するシリコンの製造方法およびそれを用いた素子の製造方法
06-65735
07-247199


114 超微結晶シリコン発光材料、その製造方法、超微結晶シリコン発光材料を用いた素子およびその製造方法
06-54890
07-237995
3210166

115 高速分子ビ-ムの発生方法及び発生装置
05-329157
07-192897


116 電子ビ-ム励起負イオン源及び負イオン発生方法
05-291061
07-142020
3366402

117 超音速分子ビ-ムによる薄膜成長方法及び薄膜成長装置
05-268531
07-126097
2603898

118 プラズマ再結合X線レ-ザ-の発生方法
05-238185
07-94296
3270213

119 基板表面のドライ・クリ-ニング・システム
05-195538
07-74135
3106040

120 ポ-ラス・シリコンおよびその製造方法
05-77695
06-268255
3259247

121 X線像形成装置
05-10196
06-174660


122 X線リソグラフイ-装置
04-269912
06-120120


123 原子層成長による量子細線および量子箱の形成方法
04-243711
06-97071
3335671

124 量子細線及び量子箱の形成方法
04-210003
06-61507
3382971

125 ガスパルスの供給方法およびこれを用いた成膜方法
04-193846
06-45256


126 縦型超格子の形成方法
04-168864
06-13317
3118083

127 ヘテロ構造の作成装置
04-167338
06-13322


128 化合物薄膜形成方法
04-132548
05-326412
3182584

129 エツチングダメ-ジ防止方法
04-71255
05-275378
3217844

130 成膜方法および成膜装置
04-14991
05-206036
3126787

131 電子ビ-ム励起イオン照射装置
03-274960
06-28991
2830958

132 単原子堆積法
03-213762
05-51300
3020321

133 イオンプレ-テイング装置
03-199209
05-295527


134 プラズマ生成装置
03-199208
05-326188
2910944

135 プラズマ生成装置
03-199207
05-299193
2910943

136 X線ミラ-の製造方法
03-31076
04-363699
2509760

137 酸化物超伝導薄膜の製造法
02-256355
04-132604
2533233

138 多価イオン発生法
02-178151
04-67599
2544236

139 電子ビ-ム源
02-166253
04-58445
2538804

140 デイジタル・エツチング方法
01-249725
03-110844


141 量子細線デイバイス作製方法および量子細線デイバイス
01-249724
03-110883
2933328

142 レ-ザ-発振用タ-ゲツト
01-77520
02-256285
2711562

143 再結合レ-ザ-
01-77519
02-256284
2879343

144 †3-†5族化合物半導体のド-ピング法
01-49701
02-229425


145 電子ビ-ム励起イオン源
63-321479
02-168541
2879342

146 砒化ガリウムエピタキシヤル成長方法
63-116478
01-286999


147 半導体量子細線作成方法
63-65041
01-238114
2816551

148 プラズマ生成用陰極
63-13984
01-189899
2136750

149 Ion-producing apparatus
H01J27/08

US4749912 (A)

150 電子ビ-ム励起イオン源
62-332169
01-176634
2724461

151 電子ビ-ム励起イオン源
62-332168
01-176633
2076206

152 電子ビ-ム励起イオン源
62-332167
01-176632
2045625

153 電子ビ-ム励起イオン源
62-332166
01-176631


154 ドライエツチング装置
62-318380
01-160018


155 ドライエツチング装置
62-301833
01-143328


156 ドライエツチング装置
62-301832
01-143327


157 プラズマ処理装置
62-262371
01-105540
2564572

158 プラズマ処理装置
62-262370
01-105539
2535564

159 3次元光回路素子の作製法
62-240261
01-81918


160 ドライエツチング装置
62-209831
01-53422
2129632

161 イオン照射装置
62-182794
01-27154
2655146

162 スパツタ中性粒子質量分析装置
62-141165
63-304560
1918961

163 ION PRODUCING APPARATUS
KR19870004962

KR900003310 (B1)

164 電子ビ-ム励起イオン源
62-53391
63-221540
2605031

165 電子ビ-ム式プラズマ装置
62-21304
63-190300
2526228

166 電子ビ-ム式プラズマ装置
62-21303
63-190299
2587629

167 電子ビ-ム励起イオン源
62-21302
63-190229
2019714

168 電子ビ-ム励起イオン照射装置
61-283924
63-138634
1923817

169 Electron beam-excited ion beam source
H01J27/02; H01J27/20; H01J37/08

US4749910 (A)

170 電子ビ-ム励起イオン源
61-121967
62-278736
2042849

171 電子ビ-ム源
61-78463
62-234857
1998516

172 結晶成長方法
61-76284
62-232919
2652630

173 電子ビ-ム励起イオン源
60-132138
61-290629
1923797

174 電子ビ-ム励起イオン照射装置
60-115085
61-273840
1824492

175 †3-†5族化合物の単結晶成長方法
60-66066
61-224316
2127072

176 半導体装置
60-66065
61-224387


177 半導体素子
60-66064
61-224386


178 結晶成長方法
58-225195
60-118690
1797881

179 結晶成長方法
58-225194
60-118689
1797880

180 半導体の電気的特性を測定する装置
58-136262
60-28240


181 エネルギ-障壁を設けた発光素子
58-113679
60-7184
2033557

182 試料の状態検出法
57-211013
59-101751


183 イオン注入による結晶層界面の結晶組成制御方法
57-78015
58-194333
1926408

184 ホログラフイツク・グレ-テイングの製造方法
55-185544
57-112705
1300808

185 エシエレツト格子の製造方法
55-15730
56-113108
1267246

186 光パルスの波形成形法
55-15076
56-111826
1183249

187 凹面エシエレツト格子及びその製造方法
54-38802
55-131730
1475602

188 エシエレツト格子の基板とその製造方法
52-90061
54-24653
1366497

189 VERFAHREN ZUM HERSTELLEN VON ECHELETTGITTERN
G02B5/18M2

DE2657090 (A1)

190 エシエレツト格子の製造方法
50-151283
52-75341
1046763

191 可変波長分布帰還型色素レ-ザ装置を用いた分光光度計
50-110579
52-34776
1169852

192 可変波長色素レ-ザ装置
50-81678
52-5294
1044792