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総合科学技術研究機構

 アオヤギ   ヨシノブ   (男)
 青柳    克信   上席研究員
 Yoshinobu   AOYAGI

■兼務所属(本学内)
総合科学技術研究機構   /
先端マイクロ・ナノシステム技術研究センター
総合科学技術研究機構   /
SRセンター
■出身大学院・出身大学他
1965/03  大阪大学  基礎工学部  電気工学科  卒業
1965/03  大阪大学大学院  基礎工学研究科  物理系修士課程  修了
1971/03  大阪大学大学院  基礎工学研究科  物理系  博士課程
■取得学位
工学博士 (1972/03 大阪大学)  
■職歴
2007/04/01-  立命館大学・特別招聘教授
2000/04/01-2008/03/31  東京工業大学・教授
1988/07/01-2003/03/31  理化学研究所・主任研究員
1985/07/01-1988/06/30  理化学研究所・副主任研究員
1972/04/01-1985/06/30  理化学研究所半導体工学研究所・研究員
1970-  日本学術振興会・研究員
1989/04/01-1992/03/31  大阪大学極限物質センター客員教授兼務
1992/04/01-1997/03/31  東京理科大学理工学部教授兼務
1992/04/01-  東洋大学客員教授兼務
1992/10/01-1993/09  ルンド大学(スエーデン)材料物理学部客員教授兼務
1995/04/01-1996/04/01  北海道大学量子海面研究センター客員教授兼務
■委員歴
1977/04-1979/03  日本科学技術会議航空・電子等技術審議会インテリジェント材料分科会委員
2002/04-2003/03  科学・技術審議会技術・研究基盤部会産学官連携推進委員会利益相反ワーキンググループ委員
2003/04-  (独)科学技術振興機構 さきがけ研究「ナノと物性」領域 領域アドバイザー
2004/04-  (独)科学技術振興機構 戦略的創造研究推進事業 「高度情報処理・通信の実現に向けたナノファクトリーとプロセス観測」領域 領域アドバイザー
1990/04-1995/03  日本学術振興会「極微構造電子物性」151委員会原子オーダープロセッシング分科会主査
2001/04-  日本学術振興会「未踏・ナノデバイステクノロジー」151委員会委員長
2007/04-2008/03  日本科学技術振興機構特任フェロー 
2008/04-  日本学術振興会協力会評議委員
2007/10-  国際ナノアーキテクトロニクス研究拠点評価委員
2007/04-2009/03  戦力的国際科学技術協力推進事業評価委員(ドイツ)
2009/04-  戦力的国際科学技術協力推進事業評価委員(スペイン)
1990/04-1991/03  米国MRS”Atomic Growth and Processing”シンポジウム議長
1991/04-1992/03  表面プロセス国際会議実行委員長
1993/04-1994/03  第3回原子層結晶成長国際会議実行委員長
1991/04-1993/03  日本応用物理学会常任理事
1991/04-1992/03  応用物理学会「応用物理」副編集委員長
1992/04-1993/03  応用物理学会「応用物理」編集委員長
1994/04-2000/03  応用物理学会評議委員
1993/04-1995/03  混晶エレクトロニクスシンポジウム論文委員長
1995/04-1997/03  電子材料シンポジウム実行委員長
1996/04-1998/03  Editor in chief of “Japanese Journal of Applied Physics”
1997/04-2005/03  レーザー学会理事
1995/04-  レーザー技術総合研究所評議委員
1998/04-2002/03  Editor in chief of “Micoroelectronic Engineering”
1998/04-2000/03  マイクロプロセス国際会議論文委員長
1999/10-2004/09  日本学術振興会戦略的創造研究「量子相関のダイナミクス制御」プロジェクトリーダー
2000/04-2002/03  マイクロプロセス国際会議実行委員長
2002/04-2003/03  固体素子・材料国際会議論文委員長
2002/04-2007/03  Editor in chief of “Materials Science and Technology B”
2003/04-2006/03  電子材料シンポジウム組織委員長
2007/04-2008/03  IPAP(日本物理・応物系学術誌刊行会) 副理事長
2008/04-  日本物理・応物系学術誌刊行センターセンター長
2006/04-  ナノ電子材料物性国際会議 組織委員長
2010/03-2013/04  日本ナノ学会 理事
1988/04-2013/03  米国物理学会(AIP)
■所属学会
応用物理学会  
日本物理学会  
レーザー学会  
米国物理学会(AIP)  
日本ナノ学会  
■研究テーマ
高出力深紫外半導体発光素子の開発とその環境エレクトロニクス、バイオへの応用
ニューロンにおける神経情報伝達の電気的制御
■研究概要
主な研究の概要は、以下の通り

 【研究テーマ(1)概要】
高出力深紫外半導体発光素子の開発とその環境、バイオへの応用・・・
波長が200から350nmの深紫外領域で高効率、高出力に発光する新たな高出力深紫外発光素子の開発を行い、それを用いて水浄化、殺菌、バイオ応用等の研究を行う。


窒化物半導体は、深紫外領域で発光できる唯一の半導体材料であり、これにより、環境、医療、安全といった21世紀の社会的重点課題を解決するための重要な科学・技術基盤を担う材料として大きく注目されている。
特に、1から100ワットクラスの高出力深紫外発光素子の開発はこれからの水の浄化、PCB等の難分解性材料の分解、院内感染を防ぐ殺菌その他これからの環境問題を解決するハード面を支える不可欠の技術であるがこの深紫外領域では、世界でどこもその高出力化の方法論がなく誰も成功していない。
本研究では「環境エレクトロニクス」という新たな概念を世界で初めて発信し、半導体エレクトロニクスと環境との境界領域に1つの大きな研究群を構成することを目的とする。

具体的には
本研究では、まず我々が開発した世界で唯一の2光束結晶成長その場観測装置により今まで難しかった、結晶の初期過程、ヘテロ界面の制御を行い、再現性のある高品質AlGaNエピタキシャル結晶を行う。特に窒化物半導体間のヘテロ構造界面、金属との界面制御にエネルギーを注ぐ。
また、従来不可能であった深紫外領域の材料であるAlGaN系材料で縦型発光デバイス構造を作る技術を確立する。我々は基板剥離層の導入という新たな方法を開発し導電性のないサファイア基板を剥離する技術に成功しており、剥離過程の解明、又新たな方法論も検討する。
また、AlGaNの結晶さらなる高品質化を試み高い内部量子効率を得る。特に量子ドットの導入、コドーピング法による高濃度ドーピングを試みる。又デバイス構造をシュミレーションで最適化し高出力化を試みる。又これらを用い、環境対応システムを構築しそれを用いた水の浄化、殺菌等、実際の応用を試み我々の技術の有用性を明らかにする。  

【研究テーマ(2)概要】
ニューロンにおける神経情報伝達の電気的制御・・・
今までにない方法で神経における情報伝達の電気的制御を試みる。


神経の情報伝達機構は従来のエレクトロニクスでの情報伝達手法とは全く異なり、まだ誰もそれを電気的に制御することに成功していない。
これが成功すれば新たなニューロエレクトロニクスといわれる分野が開かれ、人体での痛みの制御、局所的活動覚醒等種々の応用と発展が考えられる。本研究室ではバイオの研究室と共同し新たな情報伝達制御法を確立しその応用を目指す。
すでにその単一ニューロンにおける制御法は我々の手によって提案されており、実験的にも実証されている。
■研究キーワード
ナノエレクトロニクス、環境エレクトロニクス、窒化物半導体、2光束その場観測法、量子ドット、交互供給コドーピング法、縦型構造深紫外半導体発光素子、殺菌、水浄化、難分解性分子分解、神経情報伝達制御、3端子制御 
■研究業績一覧  (上位3件までを表示します。一覧表示では、公開対象の全件を表示します。)

著書
Optical Properties of Advanced Materials  Yoshinobu Aoyagi, Kotaro Kajikawa  Springer  1-38  2012/06  978-3-642-33526-6
基礎からわかるナノデバイス  青柳克信、石橋幸治、高柳英明、中ノ勇人、平山祥郎  コロナ社  2011/03
先端材料光物性  青柳克信、南不二雄、吉野淳二、梶川浩太郎  コロナ社  109-190  2008/02
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論文
A 2-inch, large-size deep ultraviolet light-emitting device using dynamically controlled micro-plasma-excited AlGaN  Y. Aoyagi, N. Kurose  Applied Physics Letters  102/ 4, 041114-1-041114-3  2013  0003-6951/2013/102(4)/041114/3/$30.00
Formation of AlGaN and GaN epitxial layer with high p-carrier concentration by pulse supply of source  Y. Aoyagi, M. Takeuchi, S. Iwai, H. Hirayama  AIP Advances  2, 0012177-0012183  2012  10.1063/1.3698156
Control of neural signal propagation in neuron by three therminal electrodes method  Y. Aoyagi, M. Yano-Mitsui, T. Miyadera, K. Tsukagoshi, H. Kamiguchi  Elec. Letters  48/ 18, 1093-1095  2012/08
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研究発表等
Large area micro-plasma exited AlGaN deep ultravioket light emitter  International Display Workshop  2012/12/04
Development of new deep ultra-violet light emitter using micro-plasma excitation of AlGaN and its application  ICNMS2012  2012/12/01
Development of large area micro-plasma-excited AlGaN deep ultraviolet light device (MIPE) for disinfection of water  Water Contamination Emergency Conference 5  2012/11/19
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科学研究費助成事業
科学研究費助成事業データベースへのリンク

競争的資金等(科研費を除く)
高出力深紫外半導体発光素子の開発  独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構・大学発事業創出実用化研究開発事業助成金  2009  2010  代表
ナノテクノロジーを用いた高効率、高出力縦型深紫外発光素子の開発とその環境、バイオ、計測への応用  文部科学省知的クラスター創成事業  2008  2012  代表
量子相関機能のダイナミクスに関する研究  科学技術振興事業団戦略的基礎研究推進事業(CREST)  1999  2003  代表
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共同・受託研究実績
ブレーズドホログラフィック回折格子の開発 【概要】全く新しい手法で回折格子を作る方法を開発、現在では市場の60%以上を本方法で占めるようになっている。  1975/04-1979/03  共同研究  代表
EBEPイオン源の開発とその応用 【概要】全く新しい大電流イオン源を開発、それをエッチング装置、イオン源として応用  1980/04-1982/03  共同研究  代表
紫外域分光放射照度測定によるオゾン濃度測定装置の校正方法の研究  2010/11-2011/03  共同研究
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研究高度化推進制度
R-GIRO研究プログラム   特定領域型R-GIRO研究プログラム     窒化物半導体をもちいた環境エレクトロニクスの構築   代表   国内   2011/04-2012/03   2011   10,000,000   
R-GIRO研究プログラム   特定領域型R-GIRO研究プログラム     窒化物半導体をもちいた環境エレクトロニクスの構築   代表   国内   2010/04-2011/03   2010   10,000,000   
R-GIRO研究プログラム   特定領域型R-GIRO研究プログラム     窒化物半導体をもちいた環境エレクトロニクスの構築   代表   国内   2009/04-2010/03   2009   10,000,000   
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受賞学術賞
応用物理学会  応用物理学会論文賞  2007/09
応用物理学会  応用物理学会フェロー表彰  2007/08
マイクロプロセス国際会議組織委員会  マイクロプロセス国際学会Best Paper Award  2002/12
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知的財産権
深紫外発光素子及びその製造方法  特願2009-278130
電子素子および電子素子の製造方法  2008-265106  2009-111377
ELECTRONIC DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING ELECTRONIC DEVICE  US20080194106  US2009139752 (A1)
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研究交流希望テーマ
深紫外半導体発光デバイスの開発とその応用  高出力縦型深紫外発光デバイスの開発、このいろいろな分野への応用
(キーワード)深紫外発光半導体デバイス、デバイス応用、環境応用、医療応用、殺菌応用、計測応用、水処理応用、光源
(メッセージ)いろいろな形態が考えられますので気軽にご相談ください。  技術相談,受託研究,共同研究,その他
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■電話番号
077-561-3769
■Eメールアドレス
  
■研究分野(ReaD&Researchmap分類)
マイクロ・ナノデバイス
ナノ構造科学
環境技術・環境材料
応用物性・結晶工学
電子・電気材料工学
電子デバイス・電子機器
薄膜・表面界面物性
無機材料・物性
ナノ材料・ナノバイオサイエンス