研究者学術情報データベース

（最終更新日 : 2026-01-07 16:33:43）　

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アラキ　ツトム
荒木　努
ARAKI Tsutomu

所属理工学部電気電子工学科

職名教授

その他所属
1.	理工学研究科
2.	総合科学技術研究機構半導体応用研究センター
3.	総合科学技術研究機構先端材料研究センター

学歴
1.	1997/01 (学位取得)	大阪府立大学博士（工学）
2.	～1992	大阪府立大学工学部金属工学科卒業
3.	～1994	大阪府立大学工学研究科金属工学博士前期課程修了
4.	～1996	大阪府立大学工学研究科金属工学博士課程修了

委員会・協会等
1.	2022/04/01 ～ 2025/03/31	日本結晶成長学会誌編集委員

所属学会
1.		応用物理学会
2.		日本結晶成長学会
3.		日本材料学会

研究概要
21世紀を担う最先端の半導体エレクトロニクス研究　ガリウムナイトライドという新しい半導体の登場によって、青色発光ダイオード、白色発光ダイオードやブルーレイディスクなどが実現され、私達の生活は大きく変化してきました。さらにこの半導体の持つ潜在能力を全て引き出すことができれば、エネルギー、環境、健康・医療など私達が21世紀に抱える重要な課題を解決できる新しい光・電子デバイスを作ることができます。例えば、長寿命で消費電力の少ない照明光源、格段に変換効率の高い太陽電池、電気自動車技術を支える高効率パワーデバイス、小型で強力な殺菌用光源などが期待できます。私達の研究室では、将来のサステイナブルな社会実現に貢献できる半導体エレクトロニクスを創出するため、半導体材料の原子・ナノレベルの結晶成長から光電子物性・構造評価、デバイス作製にわたる研究を進めています。

現在の専門分野
キーワード：窒化物半導体、結晶成長、ナノ構造、LED、パワーデバイス、太陽電池

著書
1.	2021/08/27	工学系のための伝わるライティング入門:実験レポートから英語論文まで
2.	2009	Indium Nitride and Related Alloys │ ,1-50

論文
1.	2025/02	Misfit accommodation in a single interface atomic layer at a highly lattice-mismatched InN/GaN │ J. Appl. Phys. │ 137,055702
2.	2025/02	Noncontact and Nondestructive Measurements of Electrical Properties for Mg Ion-implanted Layers on GaN Single Crystals using THz Time-domain Spectroscopic Ellipsometry │ MRS Advances │ 10,450-456
3.	2024/10	Heavy electron doping in monolayer MoS2 on a freestanding N-face GaN substrate │ Appl. Phys. Express │ 17,115002/1-6
4.	2024/05	Effect of carbon coating on surface structure in annealing process of high-dose implanted/annealed SiC │ J. Appl. Phys. │ 135,185703/1-11
5.	2024/04	Direct Growth of Nearly Lattice-matched InGaN on ScAlMgO4 Substrates using Radio-Frequency Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy │ phys. stat. sol. (b) │ 261,2400014/1-6
全件表示（205件）

学会発表
1.	2022/09	A novel ultra-wide bandgap alloy system based on rutile-type oxides （口頭発表，一般）
2.	2022/03/26	ミストCVD法によるScAlMgO₄基板上Ga₂O₃成長（口頭発表，一般）
3.	2022/03/25	THz-TDSEを用いたr面サファイア基板上グラフェンの電気的特性評価（口頭発表，一般）
4.	2022/03/24	RF-MBE法によるDERI法を用いたScAlMgO₄基板上GaN結晶成長（ポスター）
5.	2022/03/22	アルコールCVD法を用いたGaN上への酸化グラフェン成長（ポスター）
全件表示（769件）

受賞学術賞
1.	2005/09	応用物理学会応用物理学会論文賞

科学研究費助成事業
1.	2024/04/01 ～ 2027/03/31	窒化物半導体結晶成長における三次元格子整合エピタキシーの追究 │ 基盤研究(B) (キーワード：窒化物半導体, 格子不整合, ScAlMgO4, 透過電子顕微鏡, ステップ, 分子線エピタキシー, 電子顕微鏡, 貫通転位)
2.	2021/07/09 ～ 2024/03/31	モアレ超格子を利用したファンデルワールスエピタキシー技術の開拓 │ 挑戦的研究(萌芽) (キーワード：窒化物半導体, リモートエピタキシー, 原子層材料, 酸化物半導体, モアレ超格子, グラフェン, ファンデルワールスエピタキシー, 結晶成長)
3.	2021/04/01 ～ 2024/03/31	原子層モアレ超格子系におけるフォノン物性の解明と制御 │ 基盤研究(B) (キーワード：原子層材料, MoS2, フォノン物性, 熱伝導, フォノン, モアレ超格子, 原子層半導体, グラフェン, 遷移金属ダイカルコゲナイド, ツイストグラフェン)
4.	2021/04/01 ～ 2024/03/31	高圧高温熱処理による高品質インジウム系窒化物半導体の創製と熱電素子応用 │ 基盤研究(B) (キーワード：窒化物半導体, 窒化インジウム, 透過電子顕微鏡, 分子線エピタキシー, 熱処理, 半導体, TEM, 結晶成長, 結晶欠陥)
5.	2016/06/30 ～ 2021/03/31	平衡状態に基づくトップダウン法による特異構造の創製 │ 新学術領域研究(研究領域提案型) (キーワード：アニール, スパッタ法, DUV-LED, ナノ構造, MOVPE, ファセット, MBE, 分子線エピタキシー, 界面制御, 貫通転位, ヘテロ成長, AlN, 高速トランジスタ, フェムト秒レーザー, 熱処理, 選択成長, MOVPE法, ＡｌＧａＮ, AlGaN, 窒化物半導体, Face-to-Face, 高温アニール, 選択横方向成長, ヘテロ接合, 窒化アルミニウム, 深紫外LED, 原子間力顕微鏡, 光誘起加工)
全件表示（19件）

取得特許
1.		酸化ガリウム単結晶複合体及びその製造方法並びに酸化カリウム単結晶複合体を用いた窒化物半導体膜の製方法（2005-327851）
2.		窒化物系化合物半導体製造装置（2006-140397）
3.	2005/11	酸化ガリウム単結晶複合体の製造方法、及びこれを用いた窒化物半導体膜の製造方法（2005-334951）
4.	2005/11	酸化ガリウム単結晶複合体の製造法、及びこれを用いた窒化物半導体膜の製造方法（2005-334950）

研究高度化推進制度
1.	2020/04/01 2021/03/31	研究支援制度分類：研究成果国際発信プログラム種目：- 窒化インジウム半導体を用いた熱電変換エナジーハーベスト材料開発
2.	2019/04 2020/03	研究支援制度分類：研究推進プログラム種目：科研費獲得推進型高圧高温熱処理を利用したデバイス品質窒化インジウム薄膜の創製
3.	2018/04 2019/03	研究支援制度分類：研究推進プログラム種目：科研費獲得推進型新規酸化物半導体α型酸化ガリウムにおける金属/半導体界面の解明
4.	2017/10 2018/03	研究支援制度分類：研究成果国際発信プログラム種目：- 窒化物半導体のエネルギー・環境応用フロンティア領域開拓
5.	2015/10 2016/03	研究支援制度分類：研究の国際化推進プログラム種目：- ソウル国立大学との窒化物半導体分野における学術交流
全件表示（14件）

授業科目
1.	卒業研究
2.	卒業研究
3.	卒業研究
4.	卒業研究
5.	電気電子工学応用演習
全件表示（18件）

教育活動

●教育方法の実践例

1.	2007/04	立命館大学理工学部で開講した専門科目「電子光情報工学入門I,II」および各種地域事業、キャンパスツアーなどにおいて、発光ダイオードなど実際の半導体デバイスを手にとって、その機能や原理を体験･理解できる資料
2.	2007/04	立命館大学理工学部で開講した専門科目「電子光情報工学入門」において、発光ダイオードなどを用いた最先端半導体デバイスの紹介を行い、電子光情報分野への学生の興味を高め、学習意欲の向上に活かしている。
3.	2002/04	立命館大学理工学部で開講した基礎専門科目「情報処理演習」、専門科目「電子光情報工学実験I」において、レポート、WEBなどを用いて、学生から授業の質問･要望を聴取し、授業改善に活かしている。

●その他教育活動上特記すべき事項

1.	2017 ～	大津市科学館　IFクラス　『発光ダイオードを使って光を学ぼう』講師
2.	2015/11 ～ 2015/11	高大連携講義：立命館守山高校「理系デモンストレーションデイ」を担当した。
3.	2014/11 ～ 2014/11	高校等の模擬講義：未来を照らす『光る半導体』の世界
4.	2010/11	高校等の模擬講義： JST「滋賀県理数大好きモデル地域事業」体験授業（北大路中学）
5.	2009/11	高校等の模擬講義： 09　AUSSキャンパス講座「理学」　兵庫県立芦屋高等学校にて模擬講義を担当
全件表示（9件）

研究者からのメッセージ
1.	電子線、X線でのぞく半導体材料の世界大阪府立大学工学部金属工学科(現、機能物質科学科)での学部生、院生時代、そしてアメリカでのポスドク時代を通じて、材料を作製し、評価する技術を学んできました。特に、電子線回折、X線回折現象を用いた原子のレベルでの結晶構造評価に興味を持ち、今となってはそれがライフワークとなりました。「材料を制するものは世界を制する」と言います。現在私が研究を行っている窒化物半導体は、特に結晶品質の善し悪しが勝負を左右する材料です。世界中の研究者が、世界最高の材料を作ろうと努力しています。この材料を電子の目、X線の目でのぞくことにより、原子レベルの世界で何が起こっているのかを明らかにすることが、「材料を制する」道に近づくと考えています。　1997年大阪府立大学大学院工学研究科博士課程修了、アメリカアリゾナ州立大学、パデュー大学での1年半のポスドク生活を経て'98年本学へ。趣味は筋トレ、ガンプラなど。

ホームページ
荒木研究室

外部研究者ID
ORCID ID
0000-0001-5943-1145