研究者学術情報データベース

（最終更新日 : 2020-09-29 17:36:05）

アオヤギ　ヨシノブ
青柳　克信
AOYAGI Yoshinobu

所属総合科学技術研究機構

職名上席研究員

その他所属
1.	総合科学技術研究機構ＳＲセンター

学歴
1.	1972/03 (学位取得)	大阪大学工学博士
2.	～1965/03	大阪大学基礎工学部電気工学科卒業
3.	～1971/03	大阪大学大学院基礎工学研究科物理系博士課程
4.	～1965/03	大阪大学大学院基礎工学研究科物理系修士課程修了

職歴
1.	2007/04/01	立命館大学特別招聘教授
2.	2000/04/01 ～ 2008/03/31	東京工業大学教授
3.	1988/07/01 ～ 2003/03/31	理化学研究所主任研究員
4.	1985/07/01 ～ 1988/06/30	理化学研究所副主任研究員
5.	1972/04/01 ～ 1985/06/30	理化学研究所半導体工学研究所研究員
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所属学会
1.		応用物理学会
2.		日本物理学会
3.		レーザー学会
4.		日本ナノ学会
5.		米国物理学会（ＡＩＰ）

研究テーマ
1.	高出力深紫外半導体発光素子の開発とその環境エレクトロニクス、バイオへの応用
2.	ニューロンにおける神経情報伝達の電気的制御

研究概要
主な研究の概要は、以下の通り【研究テーマ(1)概要】高出力深紫外半導体発光素子の開発とその環境、バイオへの応用・・・波長が200から350ｎｍの深紫外領域で高効率、高出力に発光する新たな高出力深紫外発光素子の開発を行い、それを用いて水浄化、殺菌、バイオ応用等の研究を行う。窒化物半導体は、深紫外領域で発光できる唯一の半導体材料であり、これにより、環境、医療、安全といった21世紀の社会的重点課題を解決するための重要な科学・技術基盤を担う材料として大きく注目されている。特に、１から１００ワットクラスの高出力深紫外発光素子の開発はこれからの水の浄化、ＰＣＢ等の難分解性材料の分解、院内感染を防ぐ殺菌その他これからの環境問題を解決するハード面を支える不可欠の技術であるがこの深紫外領域では、世界でどこもその高出力化の方法論がなく誰も成功していない。本研究では「環境エレクトロニクス」という新たな概念を世界で初めて発信し、半導体エレクトロニクスと環境との境界領域に１つの大きな研究群を構成することを目的とする。具体的には本研究では、まず我々が開発した世界で唯一の2光束結晶成長その場観測装置により今まで難しかった、結晶の初期過程、ヘテロ界面の制御を行い、再現性のある高品質ＡｌＧａＮエピタキシャル結晶を行う。特に窒化物半導体間のヘテロ構造界面、金属との界面制御にエネルギーを注ぐ。また、従来不可能であった深紫外領域の材料であるＡｌＧａＮ系材料で縦型発光デバイス構造を作る技術を確立する。我々は基板剥離層の導入という新たな方法を開発し導電性のないサファイア基板を剥離する技術に成功しており、剥離過程の解明、又新たな方法論も検討する。また、ＡｌＧａＮの結晶さらなる高品質化を試み高い内部量子効率を得る。特に量子ドットの導入、コドーピング法による高濃度ドーピングを試みる。又デバイス構造をシュミレーションで最適化し高出力化を試みる。又これらを用い、環境対応システムを構築しそれを用いた水の浄化、殺菌等、実際の応用を試み我々の技術の有用性を明らかにする。　　【研究テーマ(2)概要】ニューロンにおける神経情報伝達の電気的制御・・・今までにない方法で神経における情報伝達の電気的制御を試みる。神経の情報伝達機構は従来のエレクトロニクスでの情報伝達手法とは全く異なり、まだ誰もそれを電気的に制御することに成功していない。これが成功すれば新たなニューロエレクトロニクスといわれる分野が開かれ、人体での痛みの制御、局所的活動覚醒等種々の応用と発展が考えられる。本研究室ではバイオの研究室と共同し新たな情報伝達制御法を確立しその応用を目指す。すでにその単一ニューロンにおける制御法は我々の手によって提案されており、実験的にも実証されている。

現在の専門分野
マイクロ・ナノデバイス, ナノ構造科学, 環境技術・環境材料, 応用物性・結晶工学, 電子・電気材料工学, 電子デバイス・電子機器, 薄膜・表面界面物性, 無機材料・物性, ナノ材料・ナノバイオサイエンス (キーワード：ナノエレクトロニクス、環境エレクトロニクス、窒化物半導体、２光束その場観測法、量子ドット、交互供給コドーピング法、縦型構造深紫外半導体発光素子、殺菌、水浄化、難分解性分子分解、神経情報伝達制御、３端子制御)

著書
1.	2012/06	Optical Properties of Advanced Materials │ ,1-38 (共著)
2.	2011/03	基礎からわかるナノデバイス │ (共著)
3.	2008/02	先端材料光物性 │ ,１０９－１９０ (共著)
4.	2003/05	ナノテクノロジーハンドブック │ ,第1篇編纂 (共著)
5.	1999/07	自己組織化プロセス技術 │ ,４３－５７ (共著)
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論文
1.	2013	A 2-inch, large-size deep ultraviolet light-emitting device using dynamically controlled micro-plasma-excited AlGaN │ Applied Physics Letters │ 102 (4),041114-1-041114-3 (共著)
2.	2012/08	Control of neural signal propagation in neuron by three therminal electrodes method │ Elec. Letters │ 48 (18),1093-1095 (共著)
3.	2012/08	High-sensitivity ozone sensing using 280nm deep ultraviolet light-emitting diode for depletion of natural hazard ozone │ Journal of Environmental Protection │ 3 (8),695-699 (共著)
4.	2012	Formation of AlGaN and GaN epitxial layer with high p-carrier concentration by pulse supply of source │ AIP Advances │ 2,0012177-0012183 (共著)
5.	2011	High hole carrier concentration realized by alternative co-doping technique in metal organic chemical vapor deposition │ Appl. Phys. Letters │ 99 (11),112110 (共著)
全件表示（498件）

学会発表
1.	2012/12/04	Large area micro-plasma exited AlGaN deep ultravioket light emitter (International Display Workshop)
2.	2012/12/01	Development of new deep ultra-violet light emitter using micro-plasma excitation of AlGaN and its application (ICNMS2012)
3.	2012/11/19	Development of large area micro-plasma-excited AlGaN deep ultraviolet light device (MIPE) for disinfection of water (Water Contamination Emergency Conference 5)
4.	2012/10/16	Two inch large area DUV AlGaN light emitter using micro-plasma excitation (Iinternational Workshop on Nitride Semiconductors)
5.	2012/09/11	高出力大面積マイクロプラズマ励起AlGaN 深紫外発光素子の開発 (第７３回応用物理学会学術講演会)
全件表示（61件）

受賞学術賞
1.	2007/09	応用物理学会応用物理学会論文賞
2.	2007/08	応用物理学会応用物理学会フェロー表彰
3.	2002/12	マイクロプロセス国際会議組織委員会マイクロプロセス国際学会Best Paper Award
4.	1997/04	科学技術庁科学技術長官賞
5.	1995/08	応用物理学会応用物理学会賞
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科学研究費助成事業
1.	2010 ～ 2013/03	新しい高出力深紫外発光素子の開発 │ 基盤研究(A)
2.	2003 ～ 2007	ナノテクノジーを用いた深紫外半導体発光デバイスの開発とその応用 │ 学術創成研究費
3.	2006 ～ 2007	原子層制御エピタキシーによる秋期構造変調超格子作製と機能性新物質の創製 │ 基盤研究(B)
4.	2006 ～ 2007	青色発光ナノ微結晶Ｓｉ材料の開発と応用に関する研究 │ 基盤研究(B)
5.	2005 ～ 2006	反応制御型超音速ノズルビームエピタキシャル結晶成長法の開発 │ 基盤研究(A)
全件表示（12件）

競争的資金等(科研費を除く)
1.	2009 ～ 2010	高出力深紫外半導体発光素子の開発 │ 競争的資金等の外部資金による研究 │ 独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構・大学発事業創出実用化研究開発事業助成金
2.	2008 ～ 2012	ナノテクノロジーを用いた高効率、高出力縦型深紫外発光素子の開発とその環境、バイオ、計測への応用 │ 競争的資金等の外部資金による研究 │ 文部科学省知的クラスター創成事業
3.	1999 ～ 2003	量子相関機能のダイナミクスに関する研究 │ 競争的資金等の外部資金による研究 │ 科学技術振興事業団戦略的基礎研究推進事業（ＣＲＥＳＴ）
4.	1995 ～ 1998	人工ナノ構造の機能探索 │ 競争的資金等の外部資金による研究 │ 科学技術振興事業団戦略的基礎研究推進事業（ＣＲＥＳＴ）

共同・受託研究実績
1.	1975/04 ～ 1979/03	ブレーズドホログラフィック回折格子の開発【概要】全く新しい手法で回折格子を作る方法を開発、現在では市場の６０％以上を本方法で占めるようになっている。 │ 共同研究
2.	1980/04 ～ 1982/03	EBEPイオン源の開発とその応用【概要】全く新しい大電流イオン源を開発、それをエッチング装置、イオン源として応用 │ 共同研究
3.	2010/11 ～ 2011/03	紫外域分光放射照度測定によるオゾン濃度測定装置の校正方法の研究 │ 共同研究
4.	2009/09 ～ 2013/03	高出力深紫外半導体発光素子の開発 │ 共同研究

取得特許
1.		Apparatus for CFC-free laser surface cleaning （US6291796 (B1)）
2.		Charged particle beam apparatus and method of forming electrodes having narrow gap therebetween by using the same （US2006038137 (A1)）
3.		Electron beam-excited ion beam source （US4749910 (A)）
4.		ELECTRONIC DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING ELECTRONIC DEVICE （US2009139752 (A1)）
5.		FINE PATTERN FORMING METHOD AND FINE PATTERN FORMING DEVICE （WO2006003921 (A1)）
全件表示（192件）

研究高度化推進制度
1.	2011/04 2012/03	研究支援制度分類：R-GIRO研究プログラム種目：特定領域型R-GIRO研究プログラム窒化物半導体をもちいた環境エレクトロニクスの構築
2.	2010/04 2011/03	研究支援制度分類：R-GIRO研究プログラム種目：特定領域型R-GIRO研究プログラム窒化物半導体をもちいた環境エレクトロニクスの構築
3.	2009/04 2010/03	研究支援制度分類：R-GIRO研究プログラム種目：特定領域型R-GIRO研究プログラム窒化物半導体をもちいた環境エレクトロニクスの構築
4.	2009/04 2010/03	研究支援制度分類：R-GIRO研究プログラム種目：特定領域型R-GIRO研究プログラム窒化物半導体をもちいた環境エレクトロニクスの構築
5.	2008/08 2009/03	研究支援制度分類：R-GIRO研究プログラム種目：特定領域型R-GIRO研究プログラム窒化物半導体をもちいた環境エレクトロニクスの構築
全件表示（6件）

研究交流希望テーマ
1.	深紫外半導体発光デバイスの開発とその応用高出力縦型深紫外発光デバイスの開発、このいろいろな分野への応用 (キーワード)深紫外発光半導体デバイス、デバイス応用、環境応用、医療応用、殺菌応用、計測応用、水処理応用、光源 (メッセージ)いろいろな形態が考えられますので気軽にご相談ください。技術相談受託研究共同研究その他