研究者学術情報データベース

（最終更新日 : 2026-04-10 12:24:41）　

ハラ　トモヒコ
原　知彦
HARA TOMOHIKO

所属理工学部電気電子工学科

職名助教

業績
- その他所属
プロフィール
研究
教育
- 授業科目
- 教育活動
社会活動
- 社会における活動
- 研究交流希望テーマ
その他

その他所属
1.	総合科学技術研究機構

その他所属

総合科学技術研究機構

学歴
1.	2025/12/18 (学位取得)	博士（工学） (電気電子材料工学)
2.	2020/04/01～2023/10/31	豊田工業大学博士後期課程単位取得満期退学
3.	2017/04/01～2020/12/31	豊田工業大学工学研究科先端工学修士課程修了

学歴

2025/12/18
(学位取得)

博士（工学） (電気電子材料工学)

2020/04/01～2023/10/31

豊田工業大学博士後期課程単位取得満期退学

2017/04/01～2020/12/31

豊田工業大学工学研究科先端工学修士課程修了

職歴
1.	2023/10/01 ～ 2023/12/31	豊田工業大学半導体研究室研究補助

職歴

2023/10/01 ～ 2023/12/31

豊田工業大学半導体研究室研究補助

研究テーマ
1.	高効率ペロブスカイト太陽電池の研究

研究テーマ

高効率ペロブスカイト太陽電池の研究

論文
1.	2025/12	Effects of bias voltage application and light soaking on the performance of flexible perovskite photovoltaic modules │ Solar Energy │ 302,114009-114009頁
2.	2024/01	DLTS analysis of interface and near-interface bulk defects induced by TCO-plasma deposition in carrier-selective contact solar cells │ AIP advance │ 14 (1),015202
3.	2023/01	Evaluation of Damage in Crystalline Silicon Substrate Induced by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition of Amorphous Silicon Films │ Japanese Journal of Applied Physics │ 12,015003
4.	2022/09	Analysis of recombination centers near an interface of a metal–SiO₂–Si structure by double carrier pulse deep-level transient spectroscopy │ AIP advance │ 12 (9),095316
5.	2022/03	DLTS with Bayesian Inference for Analyzing RPD Induced Defects in Bulk near SiO₂/Si Interface │ ECS Journal of Solid State Science and Technology │ 11,035002
全件表示（8件）

論文

2025/12

Effects of bias voltage application and light soaking on the performance of flexible perovskite photovoltaic modules │ Solar Energy │ 302,114009-114009頁

2024/01

DLTS analysis of interface and near-interface bulk defects induced by TCO-plasma deposition in carrier-selective contact solar cells │ AIP advance │ 14 (1),015202

2023/01

Evaluation of Damage in Crystalline Silicon Substrate Induced by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition of Amorphous Silicon Films │ Japanese Journal of Applied Physics │ 12,015003

2022/09

Analysis of recombination centers near an interface of a metal–SiO₂–Si structure by double carrier pulse deep-level transient spectroscopy │ AIP advance │ 12 (9),095316

2022/03

DLTS with Bayesian Inference for Analyzing RPD Induced Defects in Bulk near SiO₂/Si Interface │ ECS Journal of Solid State Science and Technology │ 11,035002

全件表示（8件）

学会発表
1.	2025/11/13	Impact of partial shading on characteristics of methylammonium lead iodide-based perovskite solar cell module （口頭発表，シンポジウム・ワークショップ・パネルディスカッション等）
2.	2025/07/04	ハロゲン化鉛ヨウ素ペロブスカイモジュールに対する部分影の影響（口頭発表，シンポジウム・ワークショップ・パネルディスカッション等）
3.	2024/11/13	The behavior of methylammonium lead iodide-based perovskite solar cell module under the partial-shading condition （ポスター，シンポジウム・ワークショップ・パネルディスカッション等）
4.	2023	DLTS analysis for RPD-induced defects near passivation layer /Si interface in carrier selective contact solar cells （ポスター）
5.	2023	Three dimensional DLTS analysis using machine learning for evaluating process-induced defects in crystal Si solar cells （口頭発表，一般）
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学会発表

2025/11/13

Impact of partial shading on characteristics of methylammonium lead iodide-based perovskite solar cell module （口頭発表，シンポジウム・ワークショップ・パネルディスカッション等）

2025/07/04

ハロゲン化鉛ヨウ素ペロブスカイモジュールに対する部分影の影響（口頭発表，シンポジウム・ワークショップ・パネルディスカッション等）

2024/11/13

The behavior of methylammonium lead iodide-based perovskite solar cell module under the partial-shading condition （ポスター，シンポジウム・ワークショップ・パネルディスカッション等）

2023

DLTS analysis for RPD-induced defects near passivation layer /Si interface in carrier selective contact solar cells （ポスター）

2023

Three dimensional DLTS analysis using machine learning for evaluating process-induced defects in crystal Si solar cells （口頭発表，一般）

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