研究者学術情報データベース

（最終更新日 : 2026-09-06 11:10:37）　

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カドグチ　タクヤ
門口卓矢
KADOGUCHI TAKUYA

所属総合科学技術研究機構

職名教授

学歴
1.	2014/10/01～2017/09/30	大阪大学工学研究科知能・機能創成工学専攻博士課程修了博士（工学） (構造材料、機能材料)
2.	2000/04/01～2002/03/31	京都工芸繊維大学工芸科学研究科物質工学専攻修士課程修了修士 (無機材料、物性)
3.	1995/04/01～1999/03/31	京都工芸繊維大学工芸科学部物質工学科卒業学士 (無機材料、物性)

職歴
1.	2026/01/01 ～	株式会社デンソーパワーエレクトロニクスコンポーネント技術２部 Deputy Director/副部長
2.	2025/06/01 ～	ミライズテクノロジーズパワエレ第2研究開発部 Project Director/主査
3.	2025/04/01 ～	立命館大学総合科学技術研究機構客員教授
4.	2025/10/01 ～ 2025/12/31	株式会社デンソーセミコンダクタ統括部 Project General Manager/担当次長
5.	2025/06/01 ～ 2025/12/31	株式会社デンソー電力変換技術２部 Project General Manager/担当次長
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所属学会
1.	2024 ～	ISAPP2025
2.	2024	∟ Technical committee
3.	2005/04/01 ～	エレクトロニクス実装学会
4.	2022 ～	∟ 関西支部役員
5.	2021 ～	∟ MES論文委員
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資格・免許
1.	2012/03/31	1級半導体製品製造技能士（集積回路組み立て）

現在の専門分野
電子デバイス、電子機器, 電力工学, 材料力学、機械材料, 設計工学, 移動現象、単位操作 (キーワード：パワー半導体実装、接合・接着、表面処理、拡散・マイグレーション、金属材料、無機材料、樹脂材料、熱マネジメント、金属疲労)

論文
1.	2023/06/01	xEV向けパワーモジュールの表面処理とはんだ接合技術 │ 表面技術 │ 74 (6),301-305頁
2.	2020/05/29	電動車向けパワーモジュールの実装技術 │ プリント配線板材料の開発と実装技術 │ 第3章 (第2節),70-99頁
3.	2019/02/01	電動車用パワーモジュールの鉛フリーはんだ実装とエレクトロマイグレーション │ 金属 │ 89 (3),243-249頁
4.	2018/10/01	はんだ接合部のエレクトロマイグレーション現象 │ 溶接学会誌 │ 87 (7),503-507頁
5.	2018/08/27	Highly thermostable joint of Cu/Ni plating/composite Sn–0.7Cu solder with added Cu balls for die attachment in power modules │ Journal of Materials Science: Materials in Electronics │ 29,18290-18301頁
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学会発表
1.	2026/09/17	CuボールコンポジットSn–Cuはんだ材が接合界面、はんだ組織に及ぼす影響（口頭発表，一般）
2.	2026/09/17	パワーモジュール向け無電解Ni–Pめっき組織がはんだ接合時の反応速度に及ぼす影響（口頭発表，一般）
3.	2026/09/10	チップレットとパワーモジュールをつなぐ実装技術～高電流密度実装における接合信頼性・エレクトロマイグレーション・熱マネジメント～（口頭発表，特別・招待講演等）
4.	2026/03/24	Technological Trends in Power Modules and Power Devices for automotive applications （口頭発表，特別・招待講演等）
5.	2022/07/07	CASE時代を支える新型インバータ技術（口頭発表，特別・招待講演等）
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講師・講演
1.	2024/09/26	仕事はリアルRPG ～速くゲームをクリアするために必要なスキル～ (京都工芸繊維大学)
2.	2019/02/03	仕事はリアルRPG ～速くゲームをクリアするために必要なスキル～ (愛知工業大学)

受賞学術賞
1.	2014/09	エレクトロニクス実装学会第24回マイクロエレクトロニクスシンポジウム Best Paper Award (NiPめっき/Sn-Cu系はんだ接合部のエレクトロマイグレーション現象)

取得特許
1.	2024/11/07	Semiconductor device and manufacturing method thereof with Cu and Sn intermetallic compound （DE102019135860B）
2.	2024/08/06	SEMICONDUCTOR DEVICE （CN111952260B）
3.	2024/07/11	Semiconductor device and method of manufacturing the same （DE102019135373B）
4.	2024/04/23	SEMICONDUCTOR DEVICE （CN111952270B）
5.	2023/09/08	Semiconductor device and manufacturing method thereof with Cu and Sn intermetallic compound （CN111435646B）
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researchmap研究者コード
R000086172