アオヤギ ヨシノブ
青柳 克信
AOYAGI Yoshinobu
所属 総合科学技術研究機構
職名 上席研究員
取得国 国内
出願番号 2000-279557
出願年月日 2000/09
公開番号 2002-93720
特許番号 3982788
特許出願人 11理化学研究所:(政)
発明者 武内 道一;青柳 克信
特許名 半導体層の形成方法