アオヤギ ヨシノブ
青柳 克信
AOYAGI Yoshinobu
所属 総合科学技術研究機構
職名 上席研究員
取得国 国内
出願番号 11-354563
出願年月日 1999/12
公開番号 2001-176804
特許番号 3809464
特許出願人 11理化学研究所;11田中 悟;11武内 道一
発明者 田中 悟;武内 道一;青柳 克信
特許名 半導体層の形成方法