研究者学術情報データベース

アラキ　ツトム
荒木　努
ARAKI Tsutomu

所属理工学部電気電子工学科

職名教授

学会発表
1.	2022/09	A novel ultra-wide bandgap alloy system based on rutile-type oxides (The European Materials Research Society (E-MRS) 2022 Fall Meeting)
2.	2022/03/26	ミストCVD法によるScAlMgO₄基板上Ga₂O₃成長 (2022年春季第69回応用物理学会学術講演会)
3.	2022/03/25	THz-TDSEを用いたr面サファイア基板上グラフェンの電気的特性評価 (2022年春季第69回応用物理学会学術講演会)
4.	2022/03/24	RF-MBE法によるDERI法を用いたScAlMgO₄基板上GaN結晶成長 (2022年春季第69回応用物理学会学術講演会)
5.	2022/03/22	アルコールCVD法を用いたGaN上への酸化グラフェン成長 (2022年春季第69回応用物理学会学術講演会)
6.	2022/03/09	Growth of Ultra-Thin GaN/AlN Superlattice Structure toward Deep-UV Emission (14th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials/15th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (ISPlasma 2022/IC-PLANTS 2022))
7.	2022/03/08	Microstructural Characterization of Nitride Semiconductor Films Grown on ScAlMgO₄ Substrate by RF-MBE (14th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials/15th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (ISPlasma 2022/IC-PLANTS 2022))
8.	2021/12/03	グラフェン上での InN MBE 成長における窒素プラズマ照射時間の検討 (第13回ナノ構造エピタキシャル成長講演会)
9.	2021/12/03	透過電子顕微鏡を用いたScAlMgO₄基板上RF-MBE成長InGaNの構造評価 (第13回ナノ構造エピタキシャル成長講演会)
10.	2021/12/02	ScAlMgO4基板上窒化物半導体結晶RF-MBE 成長の最近の進展 (第13回ナノ構造エピタキシャル成長講演会)
11.	2021/10/28	DERI法を応用したScAlMgO₄基板上InGaNエピタキシャル成⻑ (第50回結晶成長国内会議（JCCG-50）)
12.	2021/10/13	Surface Potential of MoS₂ Depending on the Polarity of GaN Substrate Measured by Kelvin Probe Force Microscope (The 12th Recent Progress in Graphene and Two-dimensional Materials Research Conference (RPGR 2021))
13.	2021/10/11	Anisotropy of Electrical Characteristics in M-Face α-Ga₂O₃ Grown by Mist CVD (40th Electronic Materials Symposium)
14.	2021/10/11	Growth and Raman Characterization of Non-Bernal Stacking Few-Layer Graphene by Alcohol CVD Method (40th Electronic Materials Symposium)
15.	2021/10/11	Microstructural Characterization of GaN Films Grown on ScAIMg0₄ Substrate via RF-MBE (40th Electronic Materials Symposium)
16.	2021/10/11	Photoluminescence Properties of MBE-Regrown GaN on Free-Standing GaN Substrate (40th Electronic Materials Symposium)
17.	2021/10/11	Temperature Dependence of the Current-Voltage Characteristics of Highly Doped Ni/n-Type α-Ga₂O₃ Schottky Diodes (40th Electronic Materials Symposium)
18.	2021/09/23	AlNテンプレート基板上にRF-MBE法で成長したInNの発光特性 (2021年秋季第82回応用物理学会学術講演会)
19.	2021/09/23	DERI法を用いたInN結晶成長の成長温度依存性に関する研究 (2021年秋季第82回応用物理学会学術講演会)
20.	2021/09/23	RF-MBE法によるGaN/ScAlMgO₄成長形態の基板ステップ間隔依存性 (2021年秋季第82回応用物理学会学術講演会)
21.	2021/09/23	RF-MBE法による極薄GaN/AlN超格子構造の作製 (2021年秋季第82回応用物理学会学術講演会)
22.	2021/09/23	RF-MBE法を用いたN極性AlNテンプレート基板上InN結晶成長 (2021年秋季第82回応用物理学会学術講演会)
23.	2021/09/23	TEM観察を用いたSapphireオフ基板上成長α-Ga₂O₃の結晶欠陥評価 (2021年秋季第82回応用物理学会学術講演会)
24.	2021/09/23	架橋グラフェン上における窒化インジウムのファンデルワールスエピタキシー (2021年秋季第82回応用物理学会学術講演会)
25.	2021/09/22	ラマン分光を用いた架橋ツイスト2層グラフェンの熱伝導測定 (日本物理学会2021年秋季大会)
26.	2021/09/13	RF-MBE法を用いたScAlMgO₄基板上InGaNエピタキシャル成長 (2021年秋季第82回応用物理学会学術講演会)
27.	2021/09/13	Snドープm面α-Ga₂O₃の抵抗値温度依存性 (2021年秋季第82回応用物理学会学術講演会)
28.	2021/09/13	透過電子顕微鏡を用いたScAlMgO₄基板上RF-MBE成長GaNの極微構造評価 (2021年秋季第82回応用物理学会学術講演会)
29.	2021/09/10	THz-TDSエリプソメトリを用いたグラフェンの電気的特性評価 (2021年秋季第82回応用物理学会学術講演会)
30.	2021/09/10	透過X線トポグラフィーによるScAlMgO₄結晶の転位の評価 (2021年秋季第82回応用物理学会学術講演会)
31.	2021/09/01	Metal Deposition on a Suspended Graphene Surface (The 61st Fullerenes-Nanotubes-Graphene General Symposium)
32.	2021/07/17	Snドープm面α-Ga₂O₃の抵抗値温度依存性 (日本材料学会 2021年度第2回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回研究会)
33.	2021/07/17	アルコールCVD法を用いたnon-Bernal積層グラフェンの作製 (日本材料学会 2021年度第2回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回研究会)
34.	2021/07/17	カソードルミネッセンス法を用いたm面サファイア基板上Sn-doped α-Ga₂O₃の深い準位に関する研究 (日本材料学会 2021年度第2回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回研究会)
35.	2021/07/17	透過電子顕微鏡を用いたScAlMgO₄基板上RF-MBE 成長GaN の極微構造評価 (日本材料学会 2021年度第2回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回研究会)
36.	2021/06/08	Effect of Supported Substrate on van der Waals Epitaxy of Nitride Semiconductors on Graphene by MBE (NT21: International Conference on the Science and Application of Nanotubes and Low-Dimensional Materials)
37.	2021/03/19	アルコールCVD法を用いたGaN上へのグラフェン直接成長 (2021年春季第68回応用物理学会学術講演会)
38.	2021/03/19	カソードルミネッセンス法を用いたm面サファイア基板上Sn-doped α-Ga₂O₃の深い準位の解析 Ⅱ (2021年春季第68回応用物理学会学術講演会)
39.	2021/03/19	ラマン分光によるモアレ・グラフェンの熱輸送測定 (2021年春季第68回応用物理学会学術講演会)
40.	2021/03/19	高温アニールしたAlNテンプレート上のAlGaN成長における異常成長の起源 (2021年春季第68回応用物理学会学術講演会)
41.	2021/03/16	RF-MBE 法による ScAlMgO₄基板上へのInGaNエピタキシャル成長 (2021年春季第68回応用物理学会学術講演会)
42.	2021/03/16	THz-TDS透過測定を用いた電気回路モデルによるグラフェンの電気特性評価 (2021年春季第68回応用物理学会学術講演会)
43.	2021/03/16	リモートエピタキシーによるInN結晶成長における下地基板の効果 (2021年春季第68回応用物理学会学術講演会)
44.	2021/03/16	透過型電子顕微鏡を用いたDERI法成長InNの極微構造評価 (2021年春季第68回応用物理学会学術講演会)
45.	2021/03/02	Direct Growth of Graphene on GaN using Alcohol CVD (第60回フラーレン・ナノチューブ･グラフェン総合シンポジウム)
46.	2021/03/02	In Situ XRD RSM Measurements in MBE Growth of GaInN Film with Low-Temperature GaInN Buffer Layer (The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8))
47.	2021/03/02	Observation of Defect Structure in ScAlMgO₄ Crystal Using X-ray Topography (The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8))
48.	2021/03/02	Study on DERI Growth of InGaN/InN Heterostructures Using In Situ XRD RSM Measurements (The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8))
49.	2021/03/01	Growth of GaN Film on ScAlMgO₄ Substrate by RF-MBE (The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8))
50.	2021/03/01	RF-MBE Growth and Characterization of InN on AlN Templates (The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8))
51.	2020/12/09	3層構造 4H-SiCのイオン注入層の非接触・非破壊電気特性測定 (応用物理学会　先進パワー半導体分科会　第7回講演会)
52.	2020/12/09	X線トポグラフィーによるイオン注入SiCの結晶反りと膨張の相関の証拠 (応用物理学会　先進パワー半導体分科会　第7回講演会)
53.	2020/11/15	分子線エピタキシー法を用いた窒化物半導体ナノコラム構造成長 (令和2年電気関係学会関西連合大会)
54.	2020/10/08	Influence of the Layer Number of Graphene on Remote Epitaxy of InN by RF-MBE (39th Electronic Materials Symposium)
55.	2020/10/08	Thermal Conductivity of Suspended Twisted Bilayer Graphene (39th Electronic Materials Symposium)
56.	2020/10/07	Growth of GaN Film on ScAlMgO₄ Substrate by RF-MBE (39th Electronic Materials Symposium)
57.	2020/09/18	Thermal Transport Property of Suspended Twisted Bilayer Graphene (第59回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム)
58.	2020/09/11	RF-MBE法によるScAlMgO₄基板上へのGaNエピタキシャル成長 Ⅱ (2020年秋季第81回応用物理学会学術講演会)
59.	2020/09/10	THz透過測定とTHzエリプソメトリー測定を用いたグラフェン/サファイアの電気特性評価 (2020年秋季第81回応用物理学会学術講演会)
60.	2020/09/09	TEM観察を用いたSnドープm面α-Ga₂O₃の結晶欠陥評価 (2020年秋季第81回応用物理学会学術講演会)
61.	2020/09/09	カソードルミネッセンス法を用いたm面サファイア基板上Sn-doped α-Ga₂O₃の深い準位の解析 (2020年秋季第81回応用物理学会学術講演会)
62.	2020/08/01	DERI法によるInN成長のメカニズムの検討 (日本材料学会　2020年度第2回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回研究会)
63.	2020/07/31	r面サファイア上にCVD法で成長したグラフェンのシート抵抗測定 (第12回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会)
64.	2020/07/31	アルコールCVD 法による窒化物半導体上へのグラフェンの結晶成長 (第12回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会)
65.	2020/07/31	リモートエピタキシーによるグラフェン上へのInN結晶成長 (第12回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会)
66.	2020/07/31	透過型電子顕微鏡を用いたDERI法成長InNの極微構造評価 (第12回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会)
67.	2020/04/21	Effect of N Radical Irradiation on InN Film for Surface Modification (The 8th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA2020))
68.	2020/03/15	3層構造4H-SiC基板に形成したイオン注入層の非接触・非破壊電気特性評価 (2020年春季第67回応用物理学会学術講演会)
69.	2020/03/15	TEM観察を用いたSnドープm面α-Ga₂O₃の結晶欠陥評価 (2020年春季第67回応用物理学会学術講演会)
70.	2020/03/15	α-Ga₂O₃の電気特性異方性の評価 (2020年春季第67回応用物理学会学術講演会)
71.	2020/03/14	DERI法によるInN成長膜厚の原子層レベルでの制御に向けた成長過程の検討 (2020年春季第67回応用物理学会学術講演会)
72.	2020/03/14	極性に依存した窒化ガリウム基板上の単層遷移⾦属ダイカルコゲナイドの光学特性 (2020年春季第67回応用物理学会学術講演会)
73.	2020/03/13	RF-MBE法によるScAlMgO₄基板上へのGaNエピタキシャル成⻑ (2020年春季第67回応用物理学会学術講演会)
74.	2020/03/13	RF-MBE法を⽤いたN-polar AlN上へのN-polar InNの成⻑ (2020年春季第67回応用物理学会学術講演会)
75.	2020/03/13	グラフェン緩衝層を用いたリモートホモエピタキシーによるInN成⻑ (2020年春季第67回応用物理学会学術講演会)
76.	2020/03/13	高品質AlN上RF-MBE成長InNの極微構造評価 (II) (2020年春季第67回応用物理学会学術講演会)
77.	2020/03/12	THzエリプソメトリーを⽤いたサファイア上グラフェンの電気特性評価 (2020年春季第67回応用物理学会学術講演会)
78.	2020/03/12	THz分光解析によるグラフェンのバックグランド誘電率の推定 (2020年春季第67回応用物理学会学術講演会)
79.	2020/01/25	GaN基板上に転写した単層遷移金属ダイカルコゲナイドの発光特性 (日本材料学会　2019年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回講演会)
80.	2020/01/25	TEM観察を用いたSnドープm面α-Ga₂O₃の結晶欠陥評価 (日本材料学会　2019年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回講演会)
81.	2020/01/25	α-Ga₂O₃における電気特性異方性の評価 (日本材料学会　2019年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回講演会)
82.	2020/01/08	RF-MBE Growth of Mg-Doped InN Films Using Droplet Elimination by Radical Beam Irradiation Method (The 3rd International Symposium of the Vacuum Society of the Philippines)
83.	2019/12/02	Photoluminescence Quenching of Monolayer Transition Metal Dichalcogenides on GaN Surface (International Symposium on Hybrid Quantum Systems (HQS 2019))
84.	2019/12/01	アルコールCVD法による単一ドメイン大面積グラフェン成長へ向けた水素/エタノール流量流量比の検討 (令和元年電気関係学会関西連合大会)
85.	2019/12/01	ラマン分光を用いた原子層材料界面における熱伝導評価 (令和元年電気関係学会関西連合大会)
86.	2019/11/08	DERI法を用いたInN/高In組成InAlN量子井戸構造の作製に関する検討 (応用物理学会関西支部2019年度第2回支部講演会)
87.	2019/11/08	RF-MBE法によるInN成長における窒素ラジカルビーム照射に関する研究 (応用物理学会関西支部2019年度第2回支部講演会)
88.	2019/10/10	Effect of In Adlayer on MBE Growth of InN by DERI Method (38th Electronic Materials Symposium)
89.	2019/10/08	Van der Waals Epitaxy of GaN on Graphene by ECR-MBE (Recent Progress in Graphene & 2D Materials Research (RPGR 2019))
90.	2019/10/07	Photoluminescence Properties of MoS2/GaN Hetero Structure (Recent Progress in Graphene & 2D Materials Research (RPGR 2019))
91.	2019/09/21	縦型GaNデバイスに向けたレーザー誘起高性能・局所オーミック電極形成法の開発 (2019年秋季第80回応用物理学会学術講演会)
92.	2019/09/20	THz-TDSEによるイオン注入した4H-SiCの電気特性評価 (2019年秋季第80回応用物理学会学術講演会)
93.	2019/09/18	CZ法ScAlMgO₄(SCAM)結晶のX線トポグラフ観察と光学特性評価 (2019年秋季第80回応用物理学会学術講演会)
94.	2019/09/18	ECR-MBE法を用いたMoS₂上へのGaN薄膜成長 (2019年秋季第80回応用物理学会学術講演会)
95.	2019/09/18	InGaNの表面-バルク電子状態評価 (2019年秋季第80回応用物理学会学術講演会)
96.	2019/09/18	高品質AlN上RF-MBE成長InNの極微構造評価 (2019年秋季第80回応用物理学会学術講演会)
97.	2019/09/18	電極を用いないサファイア上グラフェンの電気特性測定 (2019年秋季第80回応用物理学会学術講演会)
98.	2019/08/29	DERI法によるInN成長におけるInウェッティング層の効果 (第４２回　結晶成長討論会　「結晶成長の最前線　FROM　大阪」)
99.	2019/07/29	Effect of In Adlayer on MBE Growth of InN by DERI Method (19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE))
100.	2019/07/29	Photoluminescence Properties of MoS₂/GaN Hetero Structure (19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE))
101.	2019/07/11	In Situ XRD RSM Measurements in MBE Growth of GaInN at Different Temperatures (The 13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13))
102.	2019/07/09	Remote Homoepitaxy of GaN on Graphene Using RF-MBE (The 13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13))
103.	2019/07/09	RF-MBE InN Growth on High-Quality AlN Template (The 13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13))
104.	2019/07/08	Structural Analyses of GaInN Films Grown at Different Temperatures on (0001)GaN/a-Al₂O₃ Templates by RF-MBE (The 13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13))
105.	2019/06/14	THz-TDSEを用いた3層構造SiCウエハのバッファ層の電気特性評価 (第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会)
106.	2019/06/13	DERI法によるInN成長におけるInウェッティング層の効果 (第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会)
107.	2019/06/13	RF-MBE 成長InN に対する熱処理の効果 (第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会)
108.	2019/06/13	RF-MBE法を用いた高品質AlN上へのInN成長 (第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会)
109.	2019/04/24	Indium Nitride Growth with in situ Surface Modification by RF-MBE (The 7th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA '19))
110.	2019/04/24	Metal Covered Van Der Waals Epitaxy of GaN Thin Film on Graphene (The 7th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA '19))
111.	2019/04/24	Polarity Dependent Photoluminescence of GaN/MoS₂ Hetero Structure (The 7th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA '19))
112.	2019/04/24	Structural analyses using TEM and XRD of GaInN films grown on GaN templates by RF-MBE (The 7th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA '19))
113.	2019/03/27	THz域電磁波分光解析による半導体薄膜の非接触・非破壊電気特性測定 (電気化学会第86回大会)
114.	2019/03/12	ハードとソフトの垣根を超えた「ものづくり」支援活動-AIOL(All In One Lab.)- (日本機械学会関西支部第94期定時総会講演会)
115.	2019/03/11	RF-MBE法GaInNヘテロエピタキシャル成⻑における放射光その場X線回折測定 (2019年春季第66回応用物理学会学術講演会)
116.	2019/03/11	RF-MBE法を用いたGaNのリモートホモエピタキシャル成長 (2019年春季第66回応用物理学会学術講演会)
117.	2019/03/10	サファイア上グラフェンの抵抗率の非接触・非破壊計測 (2019年春季第66回応用物理学会学術講演会)
118.	2019/03/09	THz-TDSEによる3層構造SiCウエハのバッファ層の電気特性評価 (2019年春季第66回応用物理学会学術講演会)
119.	2019/03/02	Van der Waals Epitaxy of Gallium Nitride on Graphene (第56回フラーレン・ナノチューブグラフェンシンポジウム)
120.	2018/12/01	窒化インジウムの低転位化結晶成長技術 (平成30年電気関係学会関西連合大会)
121.	2018/11/13	Characterization of Electrical Properties of InN Epilayer using Terahertz Time-Domain Spectroscopic Ellipsometry (International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2018))
122.	2018/11/12	Luminescence Enhancement in InN Deposited by Van der Waals Epitaxy on Graphene Interlayer (International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2018))
123.	2018/11/12	Metal Covered Van Der Waals Wpitaxy of GaN Thin Film on Graphene (International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2018))
124.	2018/11/12	Systematic Investigation of Surface and Bulk Electronic Structures of Unintentionally-Doped InxGa1-xN (0≦x≦1) Epilayers by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy (International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2018))
125.	2018/10/11	Characterization of Ohmic Contact on Alpha-Ga₂O₃ Thin Film (37th Electronic Materials Symposium)
126.	2018/10/11	In-situ Surface Modification of InN Films by Nitrogen Radical Irradiation and Thermal Annealing (37th Electronic Materials Symposium)
127.	2018/10/11	Surface and Bulk Electronic Structures of Unintentionally-Doped InGaN Epilayers by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy (37th Electronic Materials Symposium)
128.	2018/09/19	グラファイト上にMBE成長したInNナノ結晶の発光特性 (2018年秋季第79回応用物理学会学術講演会)
129.	2018/09/18	グラフェンを犠牲層とした剥離可能GaNのホモエピタキシャル成長 (2018年秋季第79回応用物理学会学術講演会)
130.	2018/09/12	テラヘルツ時間領域分光法を用いたグラフェンの散乱時間と電気特性測定 (第55回フラーレン・ナノチューブグラフェンシンポジウム)
131.	2018/09/04	Development of Innovative Solar Cell based on the Nitride Semiconductor and Layered Materials (The 9th International Symposium of Advanced Energy Science - Interplay for Zero-Emission Energy-)
132.	2018/09/04	In situ XRD RSM Measurements in MBE Growth of GaInN on InN (The 20th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (ICMBE 2018))
133.	2018/09/04	Recent Progress and Challenges of InN and In-rich InGaN by RF-MBE using DERI Process (The 20th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (ICMBE 2018))
134.	2018/09/04	Van der Waals Epitaxy of Nitride Semiconductors Towards Energy Conversion Devices (The 9th International Symposium of Advanced Energy Science - Interplay for Zero-Emission Energy-)
135.	2018/08/09	Nitrogen Plasma Effects on MBE Growth of GaN on Graphitic Substrate (The 7th International Symposium on Growth of Ⅲ-nitrides)
136.	2018/08/07	Effects of Nitrogen Radical Irradiation on InN Growth by RF-MBE (The 7th International Symposium on Growth of Ⅲ-nitrides)
137.	2018/07/12	RF-MBE 法によるMetal-rich 条件下でのAl1-xInxN 成長 (第10回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会)
138.	2018/06/12	Recent Progress and Challenges of InN and In-rich InGaN by RF-MBE Growth (14th International Conference on Modern Materials and Technologies (CIMTEC 2018))
139.	2018/05/11	ECR-MBE法によるグラフェン上へのGaN成長における窒素プラズマの効果 (応用物理学会関西支部平成30年度第1回講演会)
140.	2018/03/20	RF-MBE 法を用いたMetal-rich 条件下でのInAlN の成長 (2018年春季第65回応用物理学会学術講演会)
141.	2018/03/19	THzエリプソメトリーによるInN薄膜の電気特性評価2 (2018年春季第65回応用物理学会学術講演会)
142.	2018/03/19	架橋したMoS₂/MoSe₂積層ヘテロ構造の熱伝導 (2018年春季第65回応用物理学会学術講演会)
143.	2018/03/18	RF-MBE法によるグラフェン上での窒化物半導体成長における初期過程 (2018年春季第65回応用物理学会学術講演会)
144.	2018/03/18	THz周波数帯域の光学分散特性測定によるグラフェンの電気特性解析 (2018年春季第65回応用物理学会学術講演会)
145.	2018/03/18	放射光X線回折測定を用いたGaInN/InN成長のその場観察～InN解離温度領域での振る舞い～ (2018年春季第65回応用物理学会学術講演会)
146.	2018/03/17	Mg ドーピングによる高 In 組成 InGaN の表面-バルク電子状態変化 (2018年春季第65回応用物理学会学術講演会)
147.	2018/03/05	Epitaxial InN Growth with in situ Surface Reformation by Radical Beam Irradiation (10th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials/11th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (ISPlasma 2018/IC-PLANTS 2018))
148.	2018/03/04	Growth of InN and In-rich InGaN by RF-MBE　-Present Status and Challenges- (10th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials/11th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (ISPlasma 2018/IC-PLANTS 2018))
149.	2017/12/13	Thermal Transport Properties of MoS₂/MoSe₂ Hetero Structure Evaluated by Raman Spectroscopy (ICON-2DMAT 2017)
150.	2017/11/27	Reduction of Treading Dislocation Density in InN Film Grown with in Situ Surface Reformation by Radio-Frequency Plasma-Excited Molecular Beam Epitaxy (2017 MRS Fall Meeting and Exhibit)
151.	2017/11/17	MBEを用いたDERI法によるInGaNの組成制御に関する研究 (応用物理学会関西支部　平成29年度第2回講演会)
152.	2017/11/15	RF-MBE Growth of AlGaN on Nitridated α-(AlGa)₂O₃ Grown by Mist-CVD (International Workshop on UV Materials and Devices 2017 (IWUMD2017))
153.	2017/11/10	Characterization of Electrical Properties of InN Epilayer using THz Ellipsometry (36th Electronic Materials Symposium)
154.	2017/11/10	Epitaxial Growth of Transferable Indium Nitride on Graphene (36th Electronic Materials Symposium)
155.	2017/11/10	Influence of Nitrogen Radical Beam Irradiation on MBE Growth of InN (36th Electronic Materials Symposium)
156.	2017/11/10	Threading Dislocations Behavior in InN Films Regrown on N Radical Irradiated InN Template (36th Electronic Materials Symposium)
157.	2017/11/09	Study on Charge States of SiO₂ by Kelvin Probe Force Microscopy and C-V Measurement for GaN Based Power Device Application (36th Electronic Materials Symposium)
158.	2017/11/09	Study on Surface Band Bending of α-Ga₂O₃ Grown by Mist-CVD (36th Electronic Materials Symposium)
159.	2017/10/20	Outstanding Capability of In-situ Monitoring Techniques in RF-MBE Growth of InN and GaInN (2017 International Symposium on Novel and Sustainable Technology (2017 ISNST))
160.	2017/10/09	Growth of Nitrogen –Polar InN on Sapphire Substrate by DERI Method (The 11th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2017))
161.	2017/09/25	Influence of Nitrogen Radical Beam Irradiation on MBE Growth of InN (The 8th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors)
162.	2017/09/21	Compositional Pulling Effect in Epitaxial Growth of GaInN by RF-MBE (2017 International Conference on Solid State Devices and Materials)
163.	2017/09/14	Electron Spin Resonance study of Sn doped α- Ga₂O₃ (2nd International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials)
164.	2017/09/14	Study on Surface Band Bending of α-Ga₂O₃ Grown by Mist -CVD (2nd International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials)
165.	2017/09/14	ラマン分光によるMoS₂を含むファンデルワールスへテロ構造の熱伝導評価 (第53回フラーレン・ナノチューブグラフェンシンポジウム)
166.	2017/09/13	グラフェン上での窒化物半導体のエピタキシャル成長 (第53回フラーレン・ナノチューブグラフェンシンポジウム)
167.	2017/09/08	α-Ga₂O₃の表面バンドベンディングに関する研究 (2017年秋季第78回応用物理学会学術講演会)
168.	2017/09/07	Dislocation Reduction in InN Film Grown with in Situ Surface Reformation by Radical Beam Irradiation (2017年秋季第78回応用物理学会学術講演会)
169.	2017/09/07	GaN上およびInN上GaInN成長における成長初期過程の観察 (2017年秋季第78回応用物理学会学術講演会)
170.	2017/09/07	RF-MBE 法を用いたInN 成長におけるN*照射の影響 (2017年秋季第78回応用物理学会学術講演会)
171.	2017/09/07	グラファイト上InN成長における緩衝層の効果 (2017年秋季第78回応用物理学会学術講演会)
172.	2017/09/06	ラマン分光による遷移⾦属ダイカルコゲナイドヘテロ構造の熱伝導評価 (2017年秋季第78回応用物理学会学術講演会)
173.	2017/09/05	THz エリプソメトリーによるInN 薄膜の電気特性評価 (2017年秋季第78回応用物理学会学術講演会)
174.	2017/08/21	Study on Charge States of SiO₂ by Kelvin Probe Force Microscopy and C-V Measurement for GaN Based Power Device Application (2017 International Symposium for Advanced Materials Research (ISAMR 2017))
175.	2017/08/20	New Approach for MBE Growth and Applications of High Quality InN and In-rich InGaN (2017 International Symposium for Advanced Materials Research (ISAMR 2017))
176.	2017/07/31	Threading Dislocation Behavior in InN Grown with In-situ Surface Reformation by Radical Beam Irradiation (29th International Conference on Defects in Semiconductors)
177.	2017/07/26	Surface and Bulk Electronic Structures of Mg-doped In0.7Ga0.3N Epilayer by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy (12th International Conference on Nitride Semiconductors)
178.	2017/07/25	RF-MBE Growth of Indium Nitride on Graphene Substrate (12th International Conference on Nitride Semiconductors)
179.	2017/07/14	N ラジカルビーム照射によるin-situ 表面改質のInN 成長への効果 (2017年第9回窒化物半導体結晶成長講演会)
180.	2017/07/14	THzエリプソメトリーによるInN表面電荷蓄積層の電気特性評価 (2017年第9回窒化物半導体結晶成長講演会)
181.	2017/06/20	RF-MBE Growth of GaN on Si(100) Substrates (9th International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT2017))
182.	2017/04/20	Evaluation of Nitride Semiconductors Using Terahertz Time-Domain Spectroscopic Ellipsometry (The 5th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA '17))
183.	2017/03/17	RF-MBE法によるグラファイト上へのInN成長 (2017年春季第64回応用物理学会学術講演会)
184.	2017/03/16	THzエリプソメトリーによるInN薄膜の電気的特性測定に関する検討 (2017年春季第64回応用物理学会学術講演会)
185.	2017/03/14	DERI法を用いたサファイア上N極性InN成長 (2017年春季第64回応用物理学会学術講演会)
186.	2017/03/14	Nラジカルビーム照射によるin-situ表面改質のInN成長への効果 (2017年春季第64回応用物理学会学術講演会)
187.	2017/03/14	TEM Study of InN Films Grown with In-situ Surface Reformation by Radical Beam Irradiation (2017年春季第64回応用物理学会学術講演会)
188.	2017/03/14	α-Ga₂O₃の表面バンドベンディングの評価 (2017年春季第64回応用物理学会学術講演会)
189.	2017/02/24	DERI法により作製したInN結晶の発光特性評価 (応用物理学会関西支部　平成28年度第3回講演会)
190.	2017/02/24	窒化α-(AlGa)₂O₃層の面内組成分布に関する研究 (応用物理学会関西支部　平成28年度第3回講演会)
191.	2016/12/13	テラヘルツ時間領域分光エリプソメトリーによるワイドギャップ半導体の電気特性評価 (電子情報通信学会電子部品・材料(CPM)/電子デバイス(ED)/レーザ・量子エレクトロニクス(LQE)合同研究会)
192.	2016/11/10	In-Situ Monitoring in RF-MBE Growth of In-Based Nitrides (15th International Symposium on Advanced Technology)
193.	2016/11/07	EBIC法を用いた窒化物半導体の評価 (応用物理学会結晶工学分科会主催第5回　結晶工学未来塾　キャリアデザインを考える(Ⅱ)－海外で働くとはどういうことか－＆研究ポスター発表会)
194.	2016/10/05	Characterization of Electrical Properties of n-type GaN Layer Using Terahertz Time-Domain Spectroscopic Ellipsometry (International Workshop on Nitride Semiconductor 2016 (IWN2016))
195.	2016/10/04	Atomic Level C-AFM Characterization of GaN Grown Under Spiral Mode (International Workshop on Nitride Semiconductor 2016 (IWN2016))
196.	2016/10/04	Surface and Bulk Electronic Structures of Heavily Mg-doped InN Epilayer by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy (International Workshop on Nitride Semiconductor 2016 (IWN2016))
197.	2016/10/03	Study on Microstructure and Thermal Stability of Rf-Plasma Nitridated α-(AlGa)₂O₃ Grown by Mist-CVD (International Workshop on Nitride Semiconductor 2016 (IWN2016))
198.	2016/09/28	RF-MBE Growth of GaInN Ternary Alloys Using in-situ Monitoring Techniques (2016 International Conference on Solid State Devices and Materials)
199.	2016/09/16	フッ素プラズマによるInNの表面電荷蓄積層の影響軽減に関する研究 (2016年秋季第77回応用物理学会学術講演会)
200.	2016/09/07	Recent Advancements and Challenges of Growth of InN and In-rich InGaN by DERI Method (EMN Meeting on Epitaxy)
201.	2016/08/09	Characterization of GaN Layer Using THz Ellipsometry and Its Verification by Cross-Sectional Observation (The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18))
202.	2016/08/09	Study on Nitridation of α-(AlGa)₂O₃Using Rf Plasma for AlGaN Growth (The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18))
203.	2016/07/08	Characterization of β-Ga₂O₃ Single Crystal Based Schottky Barrier Diode (35th Electronic Materials Symposium)
204.	2016/07/07	Characterization of III-Nitride Semiconductors Using Electron-Beam-Induced-Current (EBIC) Measurement (35th Electronic Materials Symposium)
205.	2016/07/07	Fluorine Plasma Treatment on InN Films Grown by RF-MBE (35th Electronic Materials Symposium)
206.	2016/07/07	Study on Nitridation of α-(AlGa)₂O₃Using Rf Plasma for AlGaN Growth (35th Electronic Materials Symposium)
207.	2016/06/21	Recent Advancement of Growth of InN and In-rich InGaN by RF-MBE (45th International School on the Physics of Semiconducting Compounds "Jaszowiec 2016)
208.	2016/05/19	Characterization of RF Plasma Nitridated α-(AlGa)₂O₃ for AlGaN Growth (The 4th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA '16))
209.	2016/05/09	RF-MBE法によるGaN/Sapphire上へのMgドーピングGaN成長 (第8回窒化物結晶成長講演会)
210.	2016/05/09	THzエリプソメトリーによるn型GaN膜の電気的特性評価 (第8回窒化物結晶成長講演会)
211.	2016/05/09	フッ素プラズマによるInNの表面電荷蓄積層の影響軽減に関する研究 (第8回窒化物結晶成長講演会)
212.	2016/05/09	β-Ga₂O₃単結晶基板を用いたショットキーバリアダイオードの評価 (第8回窒化物結晶成長講演会)
213.	2016/03/21	AlGaN成長用表面窒化α-(AlGa)₂O₃基板の極微構造評価と熱的安定性評価 (2016年春季第63回応用物理学会学術講演会)
214.	2016/03/20	C-AFMによるスパイラル成長したGaNの極微領域評価 (2016年春季第63回応用物理学会学術講演会)
215.	2016/03/20	THzエリプソメトリーとホール効果測定によるサファイア基板上n型GaNの電気特性の比較検討 (2016年春季第63回応用物理学会学術講演会)
216.	2016/03/20	THzエリプソメトリーによるGaN膜評価と断面観察による検証 (2016年春季第63回応用物理学会学術講演会)
217.	2015/12/22	Characterization of Ⅲ-Nitride Semiconductors Using Electron-Beam-Induced-Current (EBIC) Measurement (The 10th Joint Workshop on Compound Semiconductors, 2015 SNU-Ritsumeikan University Joint Workshop)
218.	2015/12/22	Characterization of Nitride Semiconductors Using THz Ellipsometry (The 10th Joint Workshop on Compound Semiconductors, 2015 SNU-Ritsumeikan University Joint Workshop)
219.	2015/12/22	Characterization of RF Plasma Nitridated α-(AlGa)₂O₃ for AlGaN Growth (The 10th Joint Workshop on Compound Semiconductors, 2015 SNU-Ritsumeikan University Joint Workshop)
220.	2015/12/22	Detailed Study of Growth Process of InN by DERI Method (The 10th Joint Workshop on Compound Semiconductors, 2015 SNU-Ritsumeikan University Joint Workshop)
221.	2015/12/22	Microscopic Characterization of InGaN Grown by RF-MBE Using Conductive-AFM (The 10th Joint Workshop on Compound Semiconductors, 2015 SNU-Ritsumeikan University Joint Workshop)
222.	2015/12/22	Raman Scattering Study of the InGaN Alloy Grown by RF-MBE (The 10th Joint Workshop on Compound Semiconductors, 2015 SNU-Ritsumeikan University Joint Workshop)
223.	2015/12/15	Dislocation Passivation by Positive Usage of Phase Separation During InGaN Growth by DERI Method (Collaborative Conference on Crystal Growth (3CG))
224.	2015/12/09	RF-MBE法によるGaInNのエピタキシャル成長 (第25 回日本MRS 年次大会)
225.	2015/11/26	RF 窒素プラズマを用いた表面窒化によるα-(AlGa)₂O₃ 上AlGaN 形成に関する検討 (2015年度電子情報通信学会　レーザ・量子エレクトロニクス研究会)
226.	2015/11/18	Dislocation Passivation by Positive Usage of Phase Separation During RF-MBE Growth of InGaN (e 3rd International Conference on Advanced Electromaterials (ICAE2015))
227.	2015/11/11	Growth and Characterization of Thin InN Films Grown by RF-MBE (The 6th International Symposium on Growth of Ⅲ-nitrides)
228.	2015/11/11	RF-MBE Growth and Structural Characterization of InN on Mist-CVD-grown α-In₂O₃/Sapphire (The 6th International Symposium on Growth of Ⅲ-nitrides)
229.	2015/10/29	ICP-RIEによるGaN、GaInN、InNエッチングとGaInN系LED製作への応用 (応用物理学会結晶工学分科会主催第4回結晶工学未来塾)
230.	2015/10/07	Comprehensive Study on Inductively Coupled Plasma Reactive Ion Etching of GaN and InN (The 31st North American Conference on Molecular Beam Epitaxy (NAMBE 2015))
231.	2015/09/15	AlGaN成長に向けたRF窒素プラズマによる表面窒化α-(AlGa)₂O₃の評価 (2015年秋季第76回応用物理学会学術講演会)
232.	2015/09/15	RF-MBE 法で成長したInGaN のConductive-AFM による極微領域評価 (2015年秋季第76回応用物理学会学術講演会)
233.	2015/09/15	THz エリプソメトリーによるSiC エピタキシャル膜の非接触・非破壊電気特性測定 (2015年秋季第76回応用物理学会学術講演会)
234.	2015/09/14	DERI法を用いたInN成長プロセスの詳細検討 (2015年秋季第76回応用物理学会学術講演会)
235.	2015/09/13	THzエリプソメトリーによるサファイア基板上GaN薄膜の評価 (2015年秋季第76回応用物理学会学術講演会)
236.	2015/07/16	Characterization of GaN Single Crystal using THz Ellipsometry (34th Electronic Materials Symposium)
237.	2015/07/16	Inductively Coupled Plasma Reactive Ion Etching of GaN and InN (34th Electronic Materials Symposium)
238.	2015/07/15	Characterization of Compositional Fluctuation in InGaN Surface by KFM (34th Electronic Materials Symposium)
239.	2015/07/15	Raman Scattering Study of the InGaN Alloy Grown by RF-MBE (34th Electronic Materials Symposium)
240.	2015/07/15	RF-MBE Growth and Characterization of InN on Nitridated α-In₂O₃ Grown by Mist-CVD (34th Electronic Materials Symposium)
241.	2015/07/15	The RF Plasma Power Dependence of Structural and Electrical Properties of Thin InN Grown by RF-MBE (34th Electronic Materials Symposium)
242.	2015/07/14	Idea to Passivate Dislocations by Positive Usage of Phase Separation in InGaN (Workshop on Frontier Photonic and Electronic Materials and Devices)
243.	2015/05/19	Growth and Characterization of InN on α-In₂O₃/Sapphire by RF-MBE (The 7th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2015))
244.	2015/05/19	Growth and Characterization of InN on α-In₂O₃/Sapphire by RF-MBE (The 7th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2015))
245.	2015/05/09	Growth Mechanisms of InN and Its Alloys Using Droplet Elimination by Radical Beam Irradiation (2015 EMN Meeting on Droplets)
246.	2015/05/07	RF-MBE法を用いたα-In₂O₃/Sapphire基板上InNの成長と構造評価 (第7回窒化物半導体結晶成長講演会(プレISGN-6))
247.	2015/05/07	THz エリプソメトリーによるGaN 単結晶の評価 (第7回窒化物半導体結晶成長講演会(プレISGN-6))
248.	2015/05/07	誘導結合型プラズマ反応性イオンエッチングによるInNエッチング (第7回窒化物半導体結晶成長講演会(プレISGN-6))
249.	2015/04/23	RF-MBE Growth of InN on Mist-CVD Grown α-In₂O₃/Sapphire (The 3rd International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA '15))
250.	2015/03/12	THzエリプソメトリーによるGaN単結晶の評価 (2015年春季第62回応用物理学会学術講演会)
251.	2015/02/09	Progress in GaInN Growth by RF-MBE and Development to Optical Device Fabrication (SPIE Photonics West 2015)
252.	2014/11/27	New Approach to Fabricate Green, Red and IR Light Sources Based on Nitride Semiconductors by DERI Method (31st International Korea-Japan Seminar on Ceramics)
253.	2014/09/19	RF-MBE 法によるα-In₂O₃/Sapphire 上への窒化物半導体成長 (2014年秋季第75回応用物理学会学術講演会)
254.	2014/09/11	Growth of Pn-GaInN Structures by RF-MBE and Fabrication of Homojunction-Type Light Emitting Diodes (18th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2014))
255.	2014/09/05	RF-MBE Growth of InN and InGaN Ternary Alloys Using DERI (19th International Conference on Ternary and Multinary)
256.	2014/08/25	Optical Properties of GaInN P-N Homojunction Blue-Green Light-Emitting-Diodes (15th International Union of Materials Research Societies, International Conference in Asia (IUMRS-ICA 2014))
257.	2014/08/24	RF-MBE Growth of Nitride Semiconductors on α-In₂O₃/Sapphire (International Workshop on Nitride Semiconductor 2014)
258.	2014/08/07	RF-MBE Growth of GaInN Films Using DERI Method　and Fabrication of Homojunction-Type LED Structures (6th International Symposium on Functional Materials (ISFM 2014))
259.	2014/08/05	Plasma Induced Point Defects in InN During RF-MBE Growth and Those Reduction by DERI Method (Defects in Semiconductors Gordon Research Conference)
260.	2014/07/26	RF-MBE 法によるGaInN 厚膜成長とpn ホモ接合型青緑色LED の製作 (日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第６回窒化物半導体結晶成長講演会)
261.	2014/07/26	RF-MBE 法によるα-In₂O₃/Sapphire 上へのInN およびGaN 成長 (日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第６回窒化物半導体結晶成長講演会)
262.	2014/07/25	Recent Material Studies of III-Nitride Semiconductors for Next Generation Devices (The Professor Harry C. Gatos Lecture and Prize/The Age of Silicon Symposium)
263.	2014/07/10	Blue-Green Light Emitting Diodes Using Pn-GaInN Homojunction-Type Structure (33nd Electronic Materials Symposium)
264.	2014/07/10	Growth of GaN and InN on α-In₂O₃/Sapphire by RF-MBE (33nd Electronic Materials Symposium)
265.	2014/07/09	Evaluation of Surface Electron Accumulation of InN (33nd Electronic Materials Symposium)
266.	2014/06/27	Study on Thickness Dependence of Composition and Strain Relaxation of RF-MBE Grown In-rich InGaN (56th Electronic Materials Conference (EMC 2014))
267.	2014/06/18	DERI Method; Possible Approach to Longer Wavelength Light Emitters Based on Nitride Semiconductors (6th Forum on New Materials (CIMTEC2014))
268.	2014/05/01	RF-MBE Growth of GaInN Ternary Alloys Using DERI Method　and Fabrication of Pn-GaInN LEDs (2014 International Workshop on Future Energy Materials and Devices (IWFEMD 2014))
269.	2014/04/24	RF-MBE Growth of pn-GaInN Structure and Fabrication of Blue-Green Homojunction-type Light Emitting Diode (the Second Conference on LED and Its Industrial Application (LEDIA '14))
270.	2014/03/20	GaInNのRF-MBE成長とpn ホモ接合型青緑色LEDの製作 (2014年春季第61回応用物理学会学術講演会)
271.	2014/03/19	n＋Si 基板上縦型深紫外上縦型深紫外 LEDLED の開発の開発（2) (2014年春季第61回応用物理学会学術講演会)
272.	2014/03/18	バッファ層を導入したグラフェン/Si (100)基板上RF-MBE 成長GaN の極微構造評価 (2014年春季第61回応用物理学会学術講演会)
273.	2014/02/04	DERI Method; Possible Approach to Green, Red and IR Light Emitters Based on Nitride Semiconductors (SPIE Photonics West 2014)
274.	2013/11/13	Growth of InN and Related Alloys Using DERI Method Toward Fabrication of Optoelectronics Devices (The 2nd International Conference on Advanced Electromaterials)
275.	2013/11/07	グラフェン/Si (100)基板上RF-MBE法GaN成長に対するバッファ層の効果 (第43回結晶成長国内会議（NCCG-43）)
276.	2013/09/20	MBE Growth of Thick InN and InGaN Films using DERI Method (2013 JSPS-MRS Joint Symposia)
277.	2013/09/16	RF-MBEを用いたInGaN成長の膜厚依存性 (2013年秋季第74回応用物理学会学術講演会)
278.	2013/09/16	Si 上縦型深紫外 LED の開発 (2013年秋季第74回応用物理学会学術講演会)
279.	2013/09/16	硬X線光電子分光法を用いたMg-InN のエネルギーバンド分布評価 (2013年秋季第74回応用物理学会学術講演会)
280.	2013/08/30	TEM Study on Microstructure of GaN on Graphene/Si (100) Grown by RF-MBE (10th International Conference on Nitride Semiconductors)
281.	2013/08/28	Crossover from Surface Electron Accumulation to Depletion in In-Rich InGaN Epilayers (10th International Conference on Nitride Semiconductors)
282.	2013/08/28	Dependence of Composition and Relaxation of RF-MBE Grown In-rich InGaN on Film Thickness (10th International Conference on Nitride Semiconductors)
283.	2013/08/28	Growth and Characterization of GaN on Graphene/Si (100) Substrates by RF-MBE (10th International Conference on Nitride Semiconductors)
284.	2013/08/26	Kinetics of Indium Adlayers and Droplets on InGaN Surface and Their Roles in InGaN Growth (10th International Conference on Nitride Semiconductors)
285.	2013/08/26	Residual Electron Reduction and P-type Doping of InGaN Grown by Molecular Beam Epitaxy (10th International Conference on Nitride Semiconductors)
286.	2013/08/15	RF-MBE Growth of InGaN Ternally Alloys: Advantage of DERI Method (Canadian Semiconductor Science and Technology Conference (CSSTC2013))
287.	2013/07/22	Recent Progress and Issues of InN and InGaN Growth for Future Optoelectronic Devices (The WCU Korea-China Workshop on Nitride Semiconductors 2013)
288.	2013/07/11	Characterization of AlGaN/GaN HEMT by UV assisted CV method (32nd Electronic Materials Symposium)
289.	2013/07/11	Characterization of transfer property of AlGaN/GaN HEMT (32nd Electronic Materials Symposium)
290.	2013/07/11	Film Thickness Dependence of Composition and Relaxation of In-rich InGaN Epilayers Grown by RF-MBE (32nd Electronic Materials Symposium)
291.	2013/07/11	Growth and Characterization of GaN on Graphene/Si (100) Substrates by RF-MBE (32nd Electronic Materials Symposium)
292.	2013/07/11	Thickness Dependence of Structural and Electrical Properties of Thin InN Grown by RF-MBE (32nd Electronic Materials Symposium)
293.	2013/07/04	P-type and Undoped InGaN Across the Entire Alloy Composition Range (The 10th Conference on Lasers and Electro-Optics Pacific Rim(CLEO-PR 2013))
294.	2013/06/27	Impact of plasma power on the electrical properties of InN thin films grown by RF-MBE (Electronic Materials Conference 2013(EMC2013))
295.	2013/06/22	DERI法を応用したRF-MBEによるInGaN成長と評価 (日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第５回　窒化物半導体結晶成長講演会)
296.	2013/06/21	AlGaN/GaN HEMT のTransfer 特性評価 (日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第５回　窒化物半導体結晶成長講演会)
297.	2013/06/21	RF-MBEを用いたInGaN成長の膜厚依存性 (日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第５回　窒化物半導体結晶成長講演会)
298.	2013/06/21	RF-MBE法によるGraphene/Si (100)上GaN成長 (日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第５回　窒化物半導体結晶成長講演会)
299.	2013/06/21	UV照射CV法を用いたAlGaN/GaN HEMTの評価 (日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第５回　窒化物半導体結晶成長講演会)
300.	2013/05/27	RF-MBE Growth of GaN on Graphene/Si (100) Substrates (The 40th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2013))
301.	2013/05/14	New Growth Method for High-Quality Low-Temperature GaN Layer by Using a Pre-Deposited Indium Layer (the 6th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductor (APWS2013))
302.	2013/05/14	Reduction of Residual Electron Density and P-type Doping of InGaN Grown by Molecular Beam Epitaxy (the 6th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductor (APWS2013))
303.	2013/04/27	InN および　In-rich InGaN をベースとした窒化物半導体による長波長発光デバイス開発への挑戦 (LED総合フォーラム2013in徳島)
304.	2013/04/23	Recent Progress on InN and InGaN Growth for Future Optoelectronic Devices (Conference on LED and Its Industrial Application (LEDIA’13))
305.	2013/03/28	RF-MBE 法によるグラフェン/Si (100)基板上GaN 成長 (2013年春季第60回応用物理学会学術講演会)
306.	2013/02/04	Application of DERI method to InN/InGaN MQW, thick InGaN and InGaN/InGaN MQW structure growth (SPIE Photonics West 2013)
307.	2012/11/30	DERI法を用いたInGaN系量子ナノ構造のRF-MBE成長 (2012年度電子情報通信学会　レーザ・量子エレクトロニクス研究会)
308.	2012/11/01	P-type InGaN across entire composition range (IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology)
309.	2012/10/31	Recent Development of Growth and Characterization of InN, In-rich InGaN and Those Nano-structures (IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology)
310.	2012/10/18	Toward Longer Wavelength and Higher Speed -Challenge to Utilize Full Span of Nitride Semiconductors Band gap- (2012 Fall Meeting of the Korean Ceramic Society)
311.	2012/09/13	RF-MBE法薄膜InN成長における結晶性と電気的特性の膜厚依存性 (2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会)
312.	2012/09/13	硬X線光電子分光法を用いたInNの表面電子状態評価 (2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会)
313.	2012/09/11	Angled-resolved X-ray photoelectron spectroscopy of c-plane InN grown by RF-MBE (2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会)
314.	2012/09/11	Growth of InGaN-based heterostructures using DERI by RF-MBE (2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会)
315.	2012/09/11	P-type InGaN across the entire composition range (2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会)
316.	2012/07/17	In-situ monitoring of InGaN growth using DERI method (4th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN2012))
317.	2012/07/12	Angled-resolved XPS measurements of In-polar and N-polar InN films (31th　Electronic Materials Symposium (EMS31))
318.	2012/07/12	Growth of InGaN film and InGaN/InGaN periodic structure using DERI method (31th　Electronic Materials Symposium (EMS31))
319.	2012/07/12	N-polar InN overgrowth on in situ AlN mask on sapphire substrate (31th　Electronic Materials Symposium (EMS31))
320.	2012/07/12	Surface and Bulk Electronic Structure of Mg-doepd InN Analyzed by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy (31th　Electronic Materials Symposium (EMS31))
321.	2012/07/11	Growth of high quality LT GaN layer with indium surfactant (31th　Electronic Materials Symposium (EMS31))
322.	2012/07/04	Angle-Resolved XPS Measurements of GaN and InN Grown by RF-MBE (17th OptoElectronics and Communications Conference (OECC 2012))
323.	2012/06/22	Growth of InGaN/InGaN MQW structures using DERI by RF-MBE (The Electronic Materials Conference　2012（EMC2012）)
324.	2012/04/28	DERI法InGaN成長におけるラジカルモニタリング技術応用 (第4回　窒化物半導体結晶成長講演会(プレIWN2012）)
325.	2012/03/08	Free Holes in Mg Doped InN Confirmed by Thermopower Experiments (4th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials 2012)
326.	2012/03/04	Importance of Advanced Plasma for Frontier Nitride Semiconductor Technologies (4th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials 2012)
327.	2012/02/14	Application of DERI Method to thick InGaN and InN/InGaN MQW structure Growth (KAUST-UCSB-NSF Workshop on Solid-State Lighting)
328.	2012/01/23	Reduction of Threading Dislocation Density by Regrowth on In-Polar InN (SPIE Photonics West 2012)
329.	2011/12/21	Advanced Workshop on 'Frontiers in Electronics' (WOFE 2011) (Advanced Workshop on 'Frontiers in Electronics' (WOFE 2011))
330.	2011/11/04	ECR-MBE法を用いたA面InNナノ構造の配列制御選択成長 (第41回結晶成長国内会議（NCCG-41）)
331.	2011/11/03	HVPE法によるInN/sapphire(0001)MBEテンプレート上へのInN成長の検討 (第41回結晶成長国内会議（NCCG-41）)
332.	2011/10/30	DERI法を用いたA面GaNテンプレート上A面InNの作成 (平成23年電気関係学会関西支部連合大会)
333.	2011/08/30	InN/sapphire(0001)MBEテンプレート上へのInN HVPEにおける成長速度の影響 (2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会)
334.	2011/08/30	In極性InN上への再成長による貫通転位密度低減 (2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会)
335.	2011/07/15	Strong Luminescence from Self-Assembled InN Nanocolumns with Few Dislocations Grown by Molecular Beam Epitaxy (The 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9) 2011)
336.	2011/07/14	Fabrication of Nano-structure of A-plane InN on Patterned A-plane GaN Template by ECR-MBE (The 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9) 2011)
337.	2011/07/13	Evaluation of P-type InN Using Temperature Dependence of I-V Characteristics (The 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9) 2011)
338.	2011/07/13	Growth of Position-Controlled InN Nanocolumns Grown by RF-MBE on Nano-Imprinted Sapphire Substrates (The 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9) 2011)
339.	2011/07/13	Investigation of InN Nanocolumns Grown on GaN Templates by Molecular Beam Epitaxy (The 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9) 2011)
340.	2011/07/13	Proposal of Thick InGaN Film Growth Using Advanced Droplet EliminationProcess by Radical-Beam Irradiation (The 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9) 2011)
341.	2011/07/01	In Situ Monitoring Techniques by DERI Method (30th　Electronic Materials Symposium (EMS30))
342.	2011/07/01	Study on DERI Growth of InN-Role of Indium Droplet- (30th　Electronic Materials Symposium (EMS30))
343.	2011/07/01	Temperature Dependence of I-V Characteristics of p-type InN Grown by RF-MBE (30th　Electronic Materials Symposium (EMS30))
344.	2011/07/01	Thick InGaN Growth Using DERI Method (30th　Electronic Materials Symposium (EMS30))
345.	2011/06/29	Recent Progress of DERI Process for Growth of InN and Related Alloys (40th "Jaszowiec" International School and Conference on the Physics of Semiconductors)
346.	2011/06/25	窒化物光半導体デバイスの新しい可能性を求めて－InNと関連混晶の新しい成長技術の開発と現状－ (LED総合フォーラム２０１１in徳島)
347.	2011/06/24	Molecular Beam Epitaxial Growth and Characterization of InN Nanocolumns on GaN (Electronic Materials Conference 2011(EMC2011))
348.	2011/06/17	HVPE法によるInN/sapphire(0001)テンプレート上InN高速成長の検討 (第３回　窒化物半導体結晶成長講演会)
349.	2011/05/25	Growth of InN Nanocolumns on GaN Templates and Sapphire by RF-MBE (5th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors)
350.	2011/05/11	Recent Progress of InN and Related Alloys Grown by DERI Method (2011 E‐MRS Spring Meeting)
351.	2011/03/24	N極性及びIn極性のInN-MIS構造の作製と評価 (2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会)
352.	2011/03/24	電流-電圧特性の温度依存性評価によるｐ型InNの検証 (2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会)
353.	2011/03/17	Recent Progress in Growth and Characterization of InN and Related Alloys and Those Nano-structures (Workshop on Frontier Photonic and Electronic Materials and Devices 2011 German-Japanese-Spanish Joint Workshop)
354.	2011/03/09	TEM Study on Microstructure of Mg-doped InN Grown by RF-MBE Using DERI Method (3rd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials　（ISPlasma2011）)
355.	2011/03/07	Development of Radical Beam Monitoring Techniques in RF-MBE Growth of InN (3rd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials　（ISPlasma2011）)
356.	2010/11/27	窒化物光半導体未踏領域への挑戦 -InNと関連混晶の新しい成長技術と評価 (応用物理学会九州支部学術講演会)
357.	2010/11/14	MBE法を用いたA面GaNテンプレート上Ａ面InN選択成長 (平成22年　電気関係学会関西連合大会)
358.	2010/11/11	RF-MBE法を用いたr面サファイア基板上A面InN結晶高品質化に関する検討 (2010年度電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会)
359.	2010/09/23	Surface Kinetics of Indium Adlayers and Droplets and Their Roles in InN Growth by Molecular Beam Epitaxy (The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010))
360.	2010/09/22	Dry etching of In-and N-polar InN using inductively-coupled plasma (The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010))
361.	2010/09/22	Evidence of Rectification in InN pn Junctions (The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010))
362.	2010/09/22	Free Hole Concentration and Mobility in InN: Mg (The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010))
363.	2010/09/22	Mg doped InN and search for holes (The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010))
364.	2010/09/22	Wet Etching Process for InN Device Fabrication (The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010))
365.	2010/09/21	Recent Progress in Growth and Characterization of InN and Related Alloys and Challenges for Device Applications (The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010))
366.	2010/09/14	DERI法InGaN成長を用いた厚膜化への試み (2010年（平成22年）秋季第72回応用物理学会学術講演会)
367.	2010/09/14	DERI法を用いたInGaN成長と組成制御への試み (2010年（平成22年）秋季第72回応用物理学会学術講演会)
368.	2010/09/14	InNデバイス作製プロセスへのウエットエッチングの適用 (2010年（平成22年）秋季第72回応用物理学会学術講演会)
369.	2010/09/14	TEMを用いたDERI法ドープInNの極微構造評価 (2010年（平成22年）秋季第72回応用物理学会学術講演会)
370.	2010/09/14	深紫外線LEDを用いたオゾン濃度測定 (2010年（平成22年）秋季第72回応用物理学会学術講演会)
371.	2010/08/26	InGaN Growth Using Droplet Elimination by Radical-beam Irradiation Method (16th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE 2010))
372.	2010/08/09	Effect of low-temperature InN buffer on A-plane InN growth on nitridated r-plane sapphire by RF-MBE (The 16th International Conference on Crystal Growth)
373.	2010/07/14	Characterization of Contact Resistance of Ti/Al/Ti/Au Ohmic Metal on N-polar and In-polar InN Films Grown by RF-MBE (29th　Electronic Materials Symposium (EMS29))
374.	2010/07/14	Various Application of DERI (Droplet Elimination by Radical-beam Irradiation) Method in Growth of RF-MBE (29th　Electronic Materials Symposium (EMS29))
375.	2010/07/14	Water Sterilization by AlGaN-based Deep UV LEDs (29th　Electronic Materials Symposium (EMS29))
376.	2010/07/14	Wet Etching by KOH for InN Device Fabrication (29th　Electronic Materials Symposium (EMS29))
377.	2010/05/15	DERI法のRHEED強度その場観察手法を用いたラジカルセル診断 (第２回窒化物半導体結晶成長講演会)
378.	2010/05/15	DERI法を用いたIn系窒化物半導体の結晶成長とデバイス構造作製への応用 (第２回窒化物半導体結晶成長講演会)
379.	2010/03/17	Adsorption and Desorption of Indium Adlayer on GaN Surface (2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会)
380.	2010/03/17	A面 InN 成長のための低温 InN バッファ層最適成長条件の検討 (2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会)
381.	2010/03/17	C 面、A 面、M 面 InNの表面化学状態の解析 (2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会)
382.	2010/03/17	In組織揺らぎのメカニズム解明に向けた RF-MBE 成長 InGaN のCL 測定評価 (2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会)
383.	2010/03/17	LiAlO2 (100)基板上 M 面 InN 低温バッファ層利用に向けた M 面 GaN 下地層の有効性 (2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会)
384.	2010/03/17	深紫外線LED を用いた水の消毒 (2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会)
385.	2010/03/09	Fabrication of InN/InGaN Multi Quantum Well Structures by Droplet Elimination by Radical-Beam Irradiation (ISPlasma2010)
386.	2010/03/09	In Situ Monitoring of InN Grown by RF-MBE (ISPlasma2010)
387.	2009/11/19	RF-MBE法を用いた高品質InN結晶成長-配列制御InNナノコラム成長について- (2009年度電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会)
388.	2009/11/14	DERI法を用いたRF-MBE InN結晶成長と各種その場観察評価 (第39回結晶成長国内会議（NCCG-39))
389.	2009/11/14	InNナノウォールの作製と評価 (第39回結晶成長国内会議（NCCG-39))
390.	2009/11/13	DERI法を用いた InN/InGaN 量子井戸構造の作製 (第39回結晶成長国内会議（NCCG-39))
391.	2009/11/13	InN へのMg ドーピングにおける成長条件依存性 (第39回結晶成長国内会議（NCCG-39))
392.	2009/11/07	RF-MBE 法によるr面(10-12)Sapphire 基板上 InN の結晶成長 (平成21年電気関係学会関西支部連合大会)
393.	2009/11/07	RF-MBE 法を用いたLiAlO₂(100)基板上へのInNの結晶成長 (平成21年電気関係学会関西支部連合大会)
394.	2009/10/22	RF-MBE Growth and Characterization of M-Plane InN on LiAlO₂ with C-Plane Phase Inclusion (The 8th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 2009))
395.	2009/10/19	Polarized Photoluminescence from Nonpolar InN Films (The 8th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 2009))
396.	2009/09/11	超格子はく離層を用いた AlGaN 系レーザリフトオフ法によるダメージの評価 (2009年（平成21年）秋季第70回応用物理学会学術講演会)
397.	2009/09/10	AlGaN 量子井戸構造に対するⅢ族元素を用いたポストアニール効果 (2009年（平成21年）秋季第70回応用物理学会学術講演会)
398.	2009/09/10	Al薄膜堆積によるC面InNの表面改質効果 (2009年（平成21年）秋季第70回応用物理学会学術講演会)
399.	2009/09/10	DERI法により作製されたInNの光反射率その場観察 (2009年（平成21年）秋季第70回応用物理学会学術講演会)
400.	2009/09/10	RF-MBE InN 成長における DERI 法の有用性 (2009年（平成21年）秋季第70回応用物理学会学術講演会)
401.	2009/09/10	カソードルミネッセンス法によるr面サファイア基板上InN薄膜の光学的評価 (2009年（平成21年）秋季第70回応用物理学会学術講演会)
402.	2009/07/10	Designing of Multiple Quantum Well Structures to Increase Emission Intensity from AlGaN LEDs (28th　Electronic Materials Symposium (EMS28))
403.	2009/07/08	Indium Incorporation Behavior in InGaN Growth by RF-MBE (28th　Electronic Materials Symposium (EMS28))
404.	2009/07/08	Mg doping of In-rich InGaN grown by RF-MBE (28th　Electronic Materials Symposium (EMS28))
405.	2009/07/08	Plarized photoluminescence from polar and nonpolar InN films (28th　Electronic Materials Symposium (EMS28))
406.	2009/07/08	Simple and Reproducible Growth of High-Quality InN by DERI (28th　Electronic Materials Symposium (EMS28))
407.	2009/07/08	Structural characterization of M-plane InN grown on LiAlO₂ substrate with C-plane phase inclusion (28th　Electronic Materials Symposium (EMS28))
408.	2009/07/08	V/III ratiodependence on M-plane InN growth on LiAlO₂(100) substrates by RF-MBE (28th　Electronic Materials Symposium (EMS28))
409.	2009/05/26	Photoluminescence and Raman spectroscopy study of InN films grown by RF-MBE (The 4th Asia-Pacific Workshop on Wide gap Semiconductors (APWS2009))
410.	2009/05/16	MBE法によるGaN加工基板上配列制御InNナノコラムの作製 (第１回窒化物半導体結晶成長講演会(Post-ISGN2))
411.	2009/05/15	Photoluminescence and Raman spectroscopy study of InN films grown by RF-MBE (第１回窒化物半導体結晶成長講演会(Post-ISGN2))
412.	2009/03/30	AlGaN-LEDの転位密度の違いによる最適量子井戸数の検討 (2009年（平成21年）春季第56回応用物理学関係連合講演会)
413.	2009/03/30	AlN/InNヘテロ構造の作製と評価 (2009年（平成21年）春季第56回応用物理学関係連合講演会)
414.	2009/03/30	LiAlO₂基板上C面混在M面InN薄膜の構造評価 (2009年（平成21年）春季第56回応用物理学関係連合講演会)
415.	2009/03/30	RF-MBE法を用いたメタルリッチ条件下でのInGaN成長 (2009年（平成21年）春季第56回応用物理学関係連合講演会)
416.	2009/03/30	低温InNバッファ層を用いた高品質Ａ面（11-20）InNの結晶成長 (2009年（平成21年）春季第56回応用物理学関係連合講演会)
417.	2009/03/05	Growth and Characterization of Position-Controlled InN Nanocolumns by ECR-MBE (PDI Topical workshop on MBE-grown Nitride Nanowires)
418.	2009/01/27	Fabrication of Position-Controlled InN Nanocolumns by ECR-MBE (San Jose Convention Center (San Jose, USA))
419.	2008/11	RF-MBE法によるR面 (10-12) Sapphire基板上、半極性面 InN の結晶成長 (電気関係学会関西支部連合大会)
420.	2008/11	RF-MBE法を用いたLiAlO₂基板上無極性Ｍ面InNの結晶成長および構造評価 (電子情報通信学会)
421.	2008/11	RF-MBE法を用いた高In組成InGaNに対するMg doping の検討 (第38回結晶成長国内会議（NCCG-38）)
422.	2008/10/09	Recent Progress of InN and InGaN Growth for Device Applications (International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2008))
423.	2008/10/09	TEM Characterization of M-plane InN Grown on (100) LiAlO₂ Substrate by RF-MBE (International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2008))
424.	2008/10/08	Growth of M-plane(10-10) InN on LiAlO₂(100) Substrate (International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2008))
425.	2008/10/08	Novel InN growth method under In-rich condition on GaN/Al₂O₃(0001) templates (International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2008))
426.	2008/09	CTLM 法によるInNオーミックコンタクト抵抗の評価 (2008年（平成20年）秋季第69回応用物理学会学術講演会)
427.	2008/09	GaN テンプレート上InN成長におけるRHEEDその場観察法を用いた実効的Ｖ/III比制御 (2008年（平成20年）秋季第69回応用物理学会学術講演会)
428.	2008/09	GaN/InNヘテロ構造の成長と評価 (2008年（平成20年）秋季第69回応用物理学会学術講演会)
429.	2008/09	LiAlO₂(100)基板上ＭｇドープＭ面(10-10)InNの結晶成長 (2008年（平成20年）秋季第69回応用物理学会学術講演会)
430.	2008/09	TEM を用いたＭ面（10-10)InN の極微構造評価 (2008年（平成20年）秋季第69回応用物理学会学術講演会)
431.	2008/07/23	Potential, Achievements and Issues of InN and Related Alloys for Device Applications (International Conference on Optical, Optoelectronic and Photonic Materials Applications 2008 (ICOOPMA 08）)
432.	2008/07/07	Growth and characterization of N-polar and In-polar InN films by RF-MBE (The Second International Symposium on Growth of Ⅲ-Nitrides (ISGN-2))
433.	2008/07/07	In-Situ Cyclic Pulse-Annealing of InN on AlN/Si during IR-Lamp-Heated MBE Growth (The Second International Symposium on Growth of Ⅲ-Nitrides (ISGN-2))
434.	2008/07/07	Study on Initial Growth Process of Position-Controlled InN Nanocolumns by ECR-MBE (The Second International Symposium on Growth of Ⅲ-Nitrides (ISGN-2))
435.	2008/07	Electrical Characterization of GaN MIS Diodes with SiO₂, SiN, and SiN/SiO₂ Formed by ECR Plasma Assisted Deposition (27th　Electronic Materials Symposium (EMS27))
436.	2008/07	Fabrication and Electrical Characterization of InN MES and MIS Diode Structures (27th　Electronic Materials Symposium (EMS27))
437.	2008/07	Growth of Position-Controlled InN Nanocolumns by ECR-MBE on Hole-Patterned GaN Template (27th　Electronic Materials Symposium (EMS27))
438.	2008/06/26	GaN and InN intermixing during RF-MBE growth observed by XRD (2008Electronic Materials Conference)
439.	2008/05/23	Annealing Effect for Insulators on the Electric Properties of GaN MIS Diode (The 2008 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (2008 IMFEDK))
440.	2008/05/23	Electrical Characterization of GaN metal-insulator-semiconductor structures by capacitance-voltage method (The 2008 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (2008 IMFEDK))
441.	2008/03/05	Growth and structural investigation of high-In-composition InGaN/GaN Nanostructures (Workshop on Frontier Photonic and Electronic Materials and Devices -2008 Japanese-German-Spanish joint Workshop-)
442.	2008/03	AlGaN/GaN HFETの断面電位分布KFM評価 (2008年（平成20年）春季第55回応用物理学関係連合講演会)
443.	2008/03	AlGaN/GaN微小ショットキ素子の電気特性と欠陥との相関 (2008年（平成20年）春季第55回応用物理学関係連合講演会)
444.	2008/03	A面（11-20）InNに対するMgドーピングの効果 (2008年（平成20年）春季第55回応用物理学関係連合講演会)
445.	2008/03	GaN MIS構造のCV特性検討 (2008年（平成20年）春季第55回応用物理学関係連合講演会)
446.	2008/03	GaN/InN界面におけるInとGaのインターミキシング (2008年（平成20年）春季第55回応用物理学関係連合講演会)
447.	2008/03	InN MISダイオードの順方向電気的特性 (2008年（平成20年）春季第55回応用物理学関係連合講演会)
448.	2008/03	M面(10-10）InN結晶成長および電気的特性の評価 (2008年（平成20年）春季第55回応用物理学関係連合講演会)
449.	2008/03	RF-MBE法を用いたβ-Ga2O3基板上GaN成長における低温GaNバッファ層の効果 (2008年（平成20年）春季第55回応用物理学関係連合講演会)
450.	2008/03	TEMを用いたN極性MgドープInNの極微構造評価 (2008年（平成20年）春季第55回応用物理学関係連合講演会)
451.	2008/03	X線光電子分光法によるMgドープInNの表面評価 (2008年（平成20年）春季第55回応用物理学関係連合講演会)
452.	2008/03	低速陽電子ビームを用いたMgドープInNの点欠陥の検出 (2008年（平成20年）春季第55回応用物理学関係連合講演会)
453.	2008/03	容量DLTS法を用いたGaN MISダイオード電気的特性における絶縁膜アニール依存性の評価 (2008年（平成20年）春季第55回応用物理学関係連合講演会)
454.	2008/01	Investigation of cross-sectional potential distribution in GaN-based field effect transistors by Kelvin probe force microscopy (SPIE Photonics West 2008 (OPTO2008))
455.	2007/11	Mg ドープＡ面（11-20)InNの結晶成長と電気的特性評価 (第37回結晶成長国内会議（NCCG-37）)
456.	2007/11	RF-MBE法による(100)LiAlO2基板上Ｍ面(10-10)InNの結晶成長 (第37回結晶成長国内会議（NCCG-37）)
457.	2007/11	TEM Characterization of position-controlled InN nanocolumns (2007 MRS Fall MEETING)
458.	2007/09	A study on the off-state breakdown characteristics for the GaN buffer layer of AlGaN/GaN HFETusing space-charge-limited current conduction mechanism (7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7))
459.	2007/09	ECR-MBE法を用いた加工ＧａＮ基板上の配列制御したＩｎＮナノコラム成長 (2007年（平成19年）秋季第68回応用物理学会学術講演会)
460.	2007/09	ECV方を用いたA面InNの表面電荷蓄積層の評価 (2007年（平成19年）秋季第68回応用物理学会学術講演会)
461.	2007/09	Electrical Properties of P-type N-polar InN Grown by RF-MBE (7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7))
462.	2007/09	Fabrication of patterned InN nano-columns byECR-MBE (7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7))
463.	2007/09	GaNバッファ層膜厚の異なるAlGaN/GaN-HFETの断面電位分布KFM評価 (2007年（平成19年）秋季第68回応用物理学会学術講演会)
464.	2007/09	Microscopic Thermal Analysis of AlGaN/GaN HFETs Using Micro-Raman Spectroscopy and Electro-ThermalSimulation (7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7))
465.	2007/09	P形MgドープInNの結晶成長とその電気的特性評価 (2007年（平成19年）秋季第68回応用物理学会学術講演会)
466.	2007/09	Study on surface electron accumlation on A-plane InN by electrolyte-based capacitance-voltage measurements (7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7))
467.	2007/09	TEMを用いた配列制御InNナノコラムの極微構造評価 (2007年（平成19年）秋季第68回応用物理学会学術講演会)
468.	2007/09	原子状水素照射によるＲＦ－ＭＢＥ成長ＩｎＮの光学特性の変化 (2007年（平成19年）秋季第68回応用物理学会学術講演会)
469.	2007/09	水素・窒素混合プラズマ照射によるＩｎＮの表面エッチングに関する検討 (2007年（平成19年）秋季第68回応用物理学会学術講演会)
470.	2007/08	Growth of InN hexagonal pyramids on hole-patterned GaN templates by ECR-MBE (International Conference on Crystal Growth (ICCG15))
471.	2007/08	Study on ECR-MBE Growth and Properties of A-plane InN on R-plane Sapphire (International Conference on Crystal Growth (ICCG15))
472.	2007/07	The dependence of the off-state breakdown voltage of the GaN buffer layer on traps and threading dislocations (27th Electronic Maqterials symposium (EMS26))
473.	2007/07	Thermal Analysis of AlGaN/GaN HEETs Operated around Breakdown Voltage Using Micro-Raman Spectropy and Device Simulation (26th Electronic Maqterials symposium (EMS26))
474.	2007/06	Infrared Cathodoluminescence measuremeans of InN films (TMS 2007 ELECTRONIC MATERIALS CONFERENCE)
475.	2007/05	Study on Growth of Mg-doped InN by RF-MBE and its Electrical Proterties (The 19th Indium Phosphide and Related Materials Conference (IPRM2007))
476.	2007/03	AlGaN/GaN-HEMTのKFMによる断面電位分布の過渡特性 (2007年（平成19年）春季第54回応用物理学関係連合講演会)
477.	2007/03	ECV法によるInN薄膜のキャリア濃度分布の評価 (2007年（平成19年）春季第54回応用物理学関係連合講演会)
478.	2007/03	GaNバッファ層のオフ耐圧に於けるトラップと転位の依存性 (2007年（平成19年）春季第54回応用物理学関係連合講演会)
479.	2007/03	High-quality InN grown on Si (111) substrate with a MEE-AlN buffer layer by RF-MBE (The 3rd Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors(APWS 2007))
480.	2007/03	MEE-AlNバッファ層を用いたSi(111)基板上への高品質InNのRF-MBE成長 (2007年（平成19年）春季第54回応用物理学関係連合講演会)
481.	2007/03	Polar and Non-polar Growth of InN and InGaN (The 3rd Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors(APWS 2007))
482.	2007/03	スパッタ法で作製したGd添加AlN膜の紫外発光特性 (2007年（平成19年）春季第54回応用物理学関係連合講演会)
483.	2007/03	赤外カソードルミネッセンス法によるＩｎＮ薄膜の暗点分布の評価 (2007年（平成19年）春季第54回応用物理学関係連合講演会)
484.	2007/03	電流ICTS法により測定したAlGaN／GaN－HEMT電流コラプス現象のドレイン電圧依存性 (2007年（平成19年）春季第54回応用物理学関係連合講演会)
485.	2007/03	容量DLTSによるSiC基盤上GaN中の深い準位の深さ方向分布の評価 (2007年（平成19年）春季第54回応用物理学関係連合講演会)
486.	2007/01	Thermal Analysis of AlGaN/GaN HFETs Using Electro-Thermal Simulation and Micro-Raman Spectroscopy (SPIE Photonics West 2007 (OPTO2007))
487.	2006/11	MBE法による窒化β-GaO基板上への六方晶ＧａＮ成長 (第36回結晶成長国内会議（NCCG-36）)
488.	2006/11	Mg-doped N-polar InN Grown by Rf-MBE (2006 Materials Research Society Fall Meeting (2006 MRS Fall Meeting))
489.	2006/11	Polar and non-polar growth of InN and InGaN by RF-MBE (The Third International Indium Nitride WorkShop)
490.	2006/11	Position-Controlled InN Nano-dot Growth on Patterned Substrates by ECR-MBE (2006 Materials Research Society Fall Meeting (2006 MRS Fall Meeting))
491.	2006/11	Threading dislocation reduction in InN regrown on micro-faceted InN template by RF-MBE (2006 Materials Research Society Fall Meeting (2006 MRS Fall Meeting))
492.	2006/10	An Analysis of the Increase in Sheet Resistance with the Lapse of Time of AlGaN/GaN HEMT Structure Wafer (International Workshop on Nitride Semiconductors(IWN2006))
493.	2006/10	Correlation between Electric Structure and Magnetism in Mn Doped GaN Films (International Workshop on Nitride Semiconductors(IWN2006))
494.	2006/10	Correlation between the Leakage Current and the Thickness of GaN Layer of AlGaN/GaN HFET (International Workshop on Nitride Semiconductors(IWN2006))
495.	2006/10	ECR-MBE法による加工基板上InN ナノドットの配列・サイズ制御 (電子情報通信学会　合同研究会)
496.	2006/10	Effects of non-stoichoimetry and compensation on fundamental parameters of heavily-doped InN (International Workshop on Nitride Semiconductors(IWN2006))
497.	2006/10	Gate Leakage Currents of AlGaN/GaN HEMT Structures Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (International Workshop on Nitride Semiconductors(IWN2006))
498.	2006/10	Growth of A-plane(11-20) In-rich InGaN on r-plane(10-12) sapphire by RF-MBE (International Workshop on Nitride Semiconductors(IWN2006))
499.	2006/10	Microstructure of A-plane InN grown on R-plane Sapphire by ECR-MBE (International Workshop on Nitride Semiconductors(IWN2006))
500.	2006/10	Temperature Distribution Analysis of AlGaN/GaN HFETs Operated around Breakdown Voltage Using Micro-Raman Spectroscopy and Device Simulation (International Workshop on Nitride Semiconductors(IWN2006))
501.	2006/10	Thermal and Chemical Stabilities of In-and N-Polar InN Surfaces (International Workshop on Nitride Semiconductors(IWN2006))
502.	2006/10	X-ray Photoelectron Spectroscopy Study on Natural-Oxidation Process of In-and N-polar InN Surfaces (International Workshop on Nitride Semiconductors(IWN2006))
503.	2006/10	マイクロラマン分光によるAlGaN/GaN HFET 高負荷時の温度分布解析 (電子情報通信学会　合同研究会)
504.	2006/09	Effect of low temperature InGaN layers on structural properties of In-rich InGaN grown by RF-MBE (14th International Conference on Molecular Beam Epitaxy(MBE2006))
505.	2006/09	Growth of InN nanocolumns by RF-MBE (14th International Conference on Molecular Beam Epitaxy(MBE2006))
506.	2006/08	AlGaN/GaN HFET破壊電圧付近の温度分布解析 (2006年（平成18年）秋季第67回応用物理学会学術講演会)
507.	2006/08	AlGaN/GaN-HEMT構造ウエーハのシート抵抗に於ける経時変化 (2006年（平成18年）秋季第67回応用物理学会学術講演会)
508.	2006/08	CORRELATION BETWEEN ELECTRIC STRUCTURE OF Mn AND MAGNETISM IN GaMnN (International Conference on Magnetism(ICM2006))
509.	2006/08	GaNバッファー層リーク電流および耐圧とGaN層膜厚との相関 (2006年（平成18年）秋季第67回応用物理学会学術講演会)
510.	2006/08	In0.78Ga0.22N/InN-MQWにおける内部電界の検討（Ⅱ） (2006年（平成18年）秋季第67回応用物理学会学術講演会)
511.	2006/08	RF-MBE Growth of InN, In-rich InGaN and Those Microstructures (The 13th International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA-2006))
512.	2006/08	RF-MBE法により成長させた高In組成InAlN薄膜におけるサファイア基板低温窒化の効果 (2006年（平成18年）秋季第67回応用物理学会学術講演会)
513.	2006/08	RF-MBE法によるInNナノコラム結晶の成長 (2006年（平成18年）秋季第67回応用物理学会学術講演会)
514.	2006/08	RF-MBE法によるMgドープInNの成長 (2006年（平成18年）秋季第67回応用物理学会学術講演会)
515.	2006/08	RF-MBE法によるR面サファイア基板上高In組成A面InGaNの成長 (2006年（平成18年）秋季第67回応用物理学会学術講演会)
516.	2006/08	XPSによるIn極性およびN極性InNの自然酸化過程の評価 (2006年（平成18年）秋季第67回応用物理学会学術講演会)
517.	2006/08	凹凸加工InNテンプレート上InN再成長による貫通転位密度低減 (2006年（平成18年）秋季第67回応用物理学会学術講演会)
518.	2006/08	低温InGaN中間層を用いた高In組成InGaNの表面平坦性の改善 (2006年（平成18年）秋季第67回応用物理学会学術講演会)
519.	2006/08	導電性AFMによるGaN系薄膜の電気特性評価 (2006年（平成18年）秋季第67回応用物理学会学術講演会)
520.	2006/08	半絶縁性SiC基板上GaN層の電圧印加による電位分布KFM測定 (2006年（平成18年）秋季第67回応用物理学会学術講演会)
521.	2006/07	CORRELATION BETWEEN ELECTRIC STRUCTURE OF Mn AND MAGNETISM IN GaMnN (28TH International Conference on the Physics of Semiconductors(ICPS-28))
522.	2006/07	Microstructure of A-plane InN grown on R-plane Sapphire by ECR-MBE (第25回電子材料シンポジウム 25th Electronic Materials Symposium (EMS25))
523.	2006/07	Thermal Analysis of AlGaN/GaN HFETs Using Micro-Raman Spectroscopy and Device Simulation (第25回電子材料シンポジウム 25th Electronic Materials Symposium (EMS25))
524.	2006/06	A Dynamic Micro-Analysis of Temperature Distribution and Electrical Potential Distribution of AlGaN/GaN HFETs Using Micro-Raman Spectroscopy and Kelvin-Force Microscopy (TMS 2006 ELECTRONIC MATERIALS CONFERENCE)
525.	2006/06	Growth of In-rich InAlN films on(0001) sapphire by RF-MBE and their properties (TMS 2006 ELECTRONIC MATERIALS CONFERENCE)
526.	2006/06	Improvement on surface morphology of In-rich InGaN layers by low temperature InGaN interlayers (First International Symposium on Growth of III-Nitrides(ISGN-1))
527.	2006/06	RF-MBE Growth of InN and In-rich InGaN (First International Symposium on Growth of III-Nitrides(ISGN-1))
528.	2006/04	Development of AlGaN/GaN High Power and High Frequency HFETs under NEDO's Japanese National Project (The 2006 International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology Conference(MANTECH2006))
529.	2006/04	Temperature Distribution Analysis of AlGaN/GaN HFETs Using Micro-Raman Spectroscopy (The 2006 International Meeting for Future of Electron Devices,Kanasai)
530.	2006/03	ECR-MBE法による加工基板上InN ナノドットの配列制御 (2006年（平成18年）春季第53回応用物理学会学術講演会)
531.	2006/03	ECR-MBE法を用いた窒化Ｒ面サファイア基板上Ａ面InN成長とその成長機構 (2006年（平成18年）春季第53回応用物理学会学術講演会)
532.	2006/03	FeドープGaN層を用いたAlGaN/GaN-HEMTの表面電位分布KFM測定 (2006年（平成18年）春季第53回応用物理学会学術講演会)
533.	2006/03	InGaN/InN-MQWにおける内部電界の検討 (2006年（平成18年）春季第53回応用物理学会学術講演会)
534.	2006/03	Micro-Raman 分光法を用いたAlGaN/GaN HFET の温度分布解析 (2006年（平成18年）春季第53回応用物理学会学術講演会)
535.	2006/03	Recent studies on MBE growth of InN and InGaN (2006 Japanese-Spanish-German Joint Workshop on Adbanced Semiconductor Optoelectronic Materials and Devices)
536.	2006/03	Ｒ面サファイア基板上Ａ面InNの極微構造評価 (2006年（平成18年）春季第53回応用物理学会学術講演会)
537.	2006/03	凸凹加工InNテンプレートを用いた高品質InNの成長 (2006年（平成18年）春季第53回応用物理学会学術講演会)
538.	2005/11	Al mole fraction dependence of deep levels in AlGaN/GaN-HEMT structures estimated by CV profiling (2005 Materials Research Society Fall Meeting(2005 MRS Fall Meeting))
539.	2005/11	Correlation between resistivity and yellow luminescence intensity of MOCVD-grown GaN layers (2005 Materials Research Society Fall Meeting(2005 MRS Fall Meeting))
540.	2005/11	Growth of c-GaN films on the nitridated β-Ga₂O₃ substrates using RF-MBE (2005 Materials Research Society Fall Meeting(2005 MRS Fall Meeting))
541.	2005/11	Polarized Photoluminescence Study on AlGaN of AlGaN/GaN Heterostructure (2005 Materials Research Society Fall Meeting(2005 MRS Fall Meeting))
542.	2005/10	AlGaN/GaN HEMTのゲートリーク (電子情報通信学会　合同研究会)
543.	2005/10	ECR-MBE法による(10-12)サファイア基板上(11-20)InNの成長 (電子情報通信学会　合同研究会)
544.	2005/10	GaNバッファ層リーク電流とルミネセンス強度との相関に関する研究 (電子情報通信学会　合同研究会)
545.	2005/10	Preparation and Properties of InN and InGaN Layers and Heterostructures (HETECH05（14th International Workshop on Heterostructure Technology ）)
546.	2005/10	RF-MBE法によるInN/InGaN量子井戸構造の作製とその評価 (電子情報通信学会　合同研究会)
547.	2005/10	凹凸加工InNテンプレートを用いたInNの高品質化 (電子情報通信学会　合同研究会)
548.	2005/10	原子状水素照射によるInNの極性評価 (電子情報通信学会　合同研究会)
549.	2005/09	AlGaN/GaN HEMTのゲートリーク (2) (2005年（平成17年）秋季第66回応用物理学会学術講演会)
550.	2005/09	Contactless electroreflectance spectroscopy of InN layers grown by MBE (European Materials Research Society Fall Meeting (E-MRS Fall Meeting))
551.	2005/09	ECR-MBE法によるR面サファイア基板上A面InNの成長 (2005年（平成17年）秋季第66回応用物理学会学術講演会)
552.	2005/09	GaNバッファ層リーク電流とルミネセンス強度との相関 (2005年（平成17年）秋季第66回応用物理学会学術講演会)
553.	2005/09	Growth and properties of InN, InGaN, and InN/InGaN quantum wells (European Materials Research Society Fall Meeting (E-MRS Fall Meeting))
554.	2005/09	InNおよびInGaNの結晶成長と構造および特性の評価 (2005年（平成17年）秋季第66回応用物理学会学術講演会（第27回応用物理学会　解説論文賞受賞記念講演）)
555.	2005/09	InNテンプレートを用いたInN/InGaN多重量子井戸構造の作製とその評価 (2005年（平成17年）秋季第66回応用物理学会学術講演会)
556.	2005/09	InNテンプレート上RF-MBE成長InGaNの極微構造評価 (2005年（平成17年）秋季第66回応用物理学会学術講演会)
557.	2005/09	KFMを用いたAlGaN/GaN-HEMTの電界分布測定 (2) (2005年（平成17年）秋季第66回応用物理学会学術講演会)
558.	2005/09	Study on ferromagnetism of GaMnN (European Materials Research Society Fall Meeting (E-MRS Fall Meeting))
559.	2005/09	電流コラプス発生時のAlGaN/GaN HEMTの表面電位分布KFM測定 (2005年（平成17年）秋季第66回応用物理学会学術講演会)
560.	2005/08	A-plane (11-20) InN Growth on Nitridated R-plane (10-12) Sapphire by ECR-MBE (6th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-6))
561.	2005/08	Fabrication of InN/InGaN Quantum Well Structures by RF-MBE (6th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-6))
562.	2005/08	Growth, structure and properties of InN, InGaN and InN/InGaN quantum Wells by RF-MBE (6th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-6))
563.	2005/08	High-quality InN grown on KOH wet etched N-polar InN template by RF-MBE (6th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-6))
564.	2005/08	Polarity determination of InN by atomic hydrogen irradiation (6th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-6))
565.	2005/08	Study on ferromagnetic GaMnN (6th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-6))
566.	2005/08	Study on GaMnN Films (The third international school and conference on spintronics and quantum information technology (Spintech Ⅲ))
567.	2005/08	Synthesis of c-GaN on the surface of β-Ga₂O₃ single crystalline using N₂ exited ECR plasma (6th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-6))
568.	2005/07	AlN buffer layer thickness dependence of InN grown on (111) Si (第24回電子材料シンポジウム 24th Electronic Materials Symposium (EMS24))
569.	2005/07	Cathodoluminescence Study on Deep Level in AlGaN of AlGaN/GaN HFET Structure (第24回電子材料シンポジウム 24th Electronic Materials Symposium (EMS24))
570.	2005/07	Correlation between resistivity and luminescence intensity of GaN layers grown by MOCVD (第24回電子材料シンポジウム 24th Electronic Materials Symposium (EMS24))
571.	2005/07	Effects of (0001) sapphire substrate nitridation conditions on crystalline quality of InN (第24回電子材料シンポジウム 24th Electronic Materials Symposium (EMS24))
572.	2005/07	Estimate of deep levels in AlGaN/GaN-HEMT structures by CV method (第24回電子材料シンポジウム 24th Electronic Materials Symposium (EMS24))
573.	2005/07	Formation of c-GaN on the surface of β-Ga₂O₃ single crystalline using N₂ plasma generated by ECR (第24回電子材料シンポジウム 24th Electronic Materials Symposium (EMS24))
574.	2005/07	Growth of InN/InGaN Quantum Well Structures by RF-MBE (第24回電子材料シンポジウム 24th Electronic Materials Symposium (EMS24))
575.	2005/07	Non-polar A-plane InN Growth on Nitridated R-plane Sapphire by ECR-MBE (第24回電子材料シンポジウム 24th Electronic Materials Symposium (EMS24))
576.	2005/06	Growth and structural characterization of InN-based quantum well structures grown by RF-MBE on (0001) sapphire (2005 Electronic Materials Conference)
577.	2005/06	Growth of In-rich InGaN of improved quality on high-quality InN templates by RF-MBE and its use for the fabrication of InN-based quantum well structures (5th International Conference on Physics of Light-Matter Coupling in Nanostructures (PLMCN5))
578.	2005/05	InNの光学的特性の結晶品質依存性 (電子情報通信学会　合同研究会)
579.	2005/05	KOH水溶液を用いたInNの極性評価 (電子情報通信学会　合同研究会)
580.	2005/05	MBE Growth of InN and InGaN for 1μm Wavelength Optical Device Applications (The 17th Indium Phosphide and Related Materials Conference (IPRM2005))
581.	2005/05	RF-MBE成長したInN薄膜に対する熱酸化処理の影響 (電子情報通信学会　合同研究会)
582.	2005/03	AlGaN/GaN HFET構造におけるAlGaN中Deep LevelのCL評価 (2005年（平成17年）春季第52回応用物理学会学術講演会)
583.	2005/03	AlGaN/GaNヘテロ構造におけるAlGaN偏光PL特性 (2005年（平成17年）春季第52回応用物理学会学術講演会)
584.	2005/03	CV測定によるAlGaN/GaN-HEMT構造の深い準位評価 (2005年（平成17年）春季第52回応用物理学会学術講演会)
585.	2005/03	GaNエピ層の抵抗率とルミネセンス強度の相関 (2005年（平成17年）春季第52回応用物理学会学術講演会)
586.	2005/03	InNテンプレートを用いたInN/InGaN量子井戸構造の作製と評価 (2005年（平成17年）春季第52回応用物理学会学術講演会)
587.	2005/03	KFMを用いたAlGaN/GaN-HEMTの表面電位測定 (2005年（平成17年）春季第52回応用物理学会学術講演会)
588.	2005/03	RF-MBEを用いた (0001) サファイア基板上　高InN組成InxAl1-x成長と光学的評価 (2005年（平成17年）春季第52回応用物理学会学術講演会)
589.	2005/03	RF-MBE法を用いたシリコン基板上窒化インジウム結晶成長に関する検討 (第10回　電子情報通信学会　関西支部学生会　研究発表講演会)
590.	2005/03	Si (111) 基板上InN結晶成長におけるA1Nバッファ層膜厚依存症 (2005年（平成17年）春季第52回応用物理学会学術講演会)
591.	2005/03	（0001）サファイア基板の窒化条件によるInNの結晶性への影響 (2005年（平成17年）春季第52回応用物理学会学術講演会)
592.	2005/03	原子状水素照射によるInNの極性評価 (2005年（平成17年）春季第52回応用物理学会学術講演会)
593.	2005/01	Growth and properties of InGaN alloys by RF-MBE (AFOSR Indium Nitride Workshop2)
594.	2004/11	Effects of the nitridation process of (0001) sapphire on crystalline quality of InN grown by RF-MBE (2004 Materials Research Society Fall Meeting(2004 MRS Fall Meeting))
595.	2004/10	Influences of thermal oxidation on properties of InN films (2004 Joint International Meeting (NITRIDE AND WIDE BANDGAP SEMICONDUCTORS FOR SENSORS, PHOTONICS AND ELECTRONICS V))
596.	2004/09	Cubic InN Growth on R-plane (10-12) Sapphire by ECR-MBE (31st International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS-2004))
597.	2004/09	ECR-MBE法によるR面サファイア基板上の立方晶InN成長 (2004年（平成16年）秋季　第65回応用物理学会学術講演会)
598.	2004/09	ECR-MBE法による石英ガラス基板上多結晶InN結晶成長とその特性評価 (2004年（平成16年）秋季　第65回応用物理学会学術講演会)
599.	2004/09	ECR-MBE法を用いたInGaN成長中のプラズマ発光分光分析 (2004年（平成16年）秋季　第65回応用物理学会学術講演会)
600.	2004/09	MBE法による窒化Ga₂O₃基板上立方晶GaN成長(1)基板窒化処理の効果 (2004年（平成16年）秋季　第65回応用物理学会学術講演会)
601.	2004/09	MBE法による窒化Ga₂O₃基板上立方晶GaN成長(2)GaN成長温度依存性 (2004年（平成16年）秋季　第65回応用物理学会学術講演会)
602.	2004/09	MBE法を用いたGaN選択成長に関する検討 (2004年（平成16年）秋季　第65回応用物理学会学術講演会)
603.	2004/09	ウェットエッチングによるInNの極性評価 (2004年（平成16年）秋季　第65回応用物理学会学術講演会)
604.	2004/09	熱酸化によるInNの特性への影響 (1)大気圧下での熱酸化 (2004年（平成16年）秋季　第65回応用物理学会学術講演会)
605.	2004/09	熱酸化によるInNの特性への影響 (2)大気圧下での熱酸化 (2004年（平成16年）秋季　第65回応用物理学会学術講演会)
606.	2004/08	ECR-MBE法による石英ガラス基板上多結晶InN成長 (第34回結晶成長国内会議（NCCG-34）)
607.	2004/08	Growth of high-quality InN films by insertion of high-temperature InN buffer layer (ICCG-14/ICVGE-12 (The 14th International Conference on Crystal Growth in Conjunction with The 12th Inernational Conference on Vapor Growth and Epitaxy))
608.	2004/08	Growth of In-rich InGaN on InN template by RF-MBE (ICCG-14/ICVGE-12 (The 14th International Conference on Crystal Growth in Conjunction with The 12th Inernational Conference on Vapor Growth and Epitaxy))
609.	2004/08	Growth, structure and properties of InN and InGaN alloys by MBE (The 13th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE 2004))
610.	2004/08	Optical Emission Spectroscopy during InN Growth by ECR-MBE (ICCG-14/ICVGE-12 (The 14th International Conference on Crystal Growth in Conjunction with The 12th Inernational Conference on Vapor Growth and Epitaxy))
611.	2004/08	RF-MBE法による高In組成InGaN成長におけるInNテンプレートの効果 (第34回結晶成長国内会議（NCCG-34）)
612.	2004/07	Basic Study on Selective Area Growth of GaN by MBE for Fabrication of Photonic Crystal (第23回電子材料シンポジウム 23rd Electronic Materials Symposium (EMS23))
613.	2004/07	Growth and Properties of Polycrystalline InN on Silica Glass by ECR-MBE (International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN-2004))
614.	2004/07	Growth of high In-composition InGaN on InN template by RF-MBE (第23回電子材料シンポジウム 23rd Electronic Materials Symposium (EMS23))
615.	2004/07	Influence of dry etching on nitride semiconductor Schottky characteristics (The 2004 International Meeting for Future of Electron Devices,Kansai)
616.	2004/07	Influences of thermal oxidation on properties of InN films (第23回電子材料シンポジウム 23rd Electronic Materials Symposium (EMS23))
617.	2004/07	Polarity determination of InN by wet etching (International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN-2004))
618.	2004/07	Polarity determination of InN by wet etching (第23回電子材料シンポジウム 23rd Electronic Materials Symposium (EMS23))
619.	2004/06	Correlation among Growth Conditions, Crystal Structures and Optical properties of InN (4th International Conference on Physics of Light-Matter Coupling in Nanostructures (PLMCN-4))
620.	2004/05	Improvement of In-rich InGaN Crystalline Quality by using InN Template (E-MRS 2004 Spring Meeting (European Materials Research Society Spring Meeting))
621.	2004/03	ALGaN/GaN HEMTのゲートリーク (2004年（平成16年）春季　第51回応用物理学会学術講演会)
622.	2004/03	Growth and properties of In-rich InGaN films grown on (0001) sapphire by RF-MBE (The 5th International Symposium on Blue Laser and Light Emitting Diodes (ISBLLED-2004))
623.	2004/03	KOH水溶液によるInNウェットエッチング (2004年（平成16年）春季　第51回応用物理学会学術講演会)
624.	2004/03	RF-MBE成長InNにおける発光特性の結晶品質依存性 (2004年（平成16年）春季　第51回応用物理学会学術講演会)
625.	2004/03	RF-MBE成長した高In組成InGaN薄膜中の規則構造 (2004年（平成16年）春季　第51回応用物理学会学術講演会)
626.	2004/03	RF-MBE法によるInNテンプレートを用いた高In組成InGaNの成長 (2004年（平成16年）春季　第51回応用物理学会学術講演会)
627.	2004/03	窒化物半導体ショットキー特性に与えるドライエッチングの影響 (2004年（平成16年）春季　第51回応用物理学会学術講演会)
628.	2004/03	窒化物半導体ショットキー特性に与えるドライエッチングの影響（２） (2004年（平成16年）春季　第51回応用物理学会学術講演会)
629.	2004/01	Growth of high quality InN epitaxial films and their properties (31st Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor Interfaces (PCSI-31))
630.	2003/12	Band-Gap Energy and Physical Properties of InN Grown by RF-Molecular Beam Epitaxy (2003 Materials Research Society Fall Meeting (2003 MRS Fall Meeting))
631.	2003/12	Characterization of Photovoltaic Cells Using n-InN/p-Si Grown by RF-MBE (2003 Materials Research Society Fall Meeting (2003 MRS Fall Meeting))
632.	2003/12	Structural Characterization of Low -Temperature InN Buffer Layer Grown by RF-MBE (2003 Materials Research Society Fall Meeting (2003 MRS Fall Meeting))
633.	2003/11	Effect of substrate polarity on the growth of InN by RF-MBE (ONR InN Workshop)
634.	2003/10	Recent Development of InN RF-MBE Growth and its Structural and Property Characterization (3rd conference on Physics of Light-Matter Coupling in Nanostructures (PLMCN3))
635.	2003/08	AlNバッファ層導入によるSi(111)基板上高品質InN結晶成長 (2003年（平成15年）秋季　第64回応用物理学会学術講演会)
636.	2003/08	Growth of InN and InGaN on Si substrate for solor cell applications (30th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2003))
637.	2003/08	InN成長中のプラズマ発光分光分析による励起Inスペクトルの観察 (2003年（平成15年）秋季　第64回応用物理学会学術講演会)
638.	2003/08	Microstructure of polycrystalline GaN grown on silica glass by ECR-MBE (30th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2003))
639.	2003/08	RF-MBE Growth of High Quality InN and its Band Gap Energy (The 4th Korea-Japan Joint Workshop on Advanced Semiconductor Processes and Equipments)
640.	2003/08	RF-MBE成長した高In組成InGaNの逆格子マッピングによる評価 (2003年（平成15年）秋季　第64回応用物理学会学術講演会)
641.	2003/08	RF-MBE成長低温InNバッファ層の極微構造評価 (2003年（平成15年）秋季　第64回応用物理学会学術講演会)
642.	2003/08	RF-MBE法を用いて作製したInN/Siによるpn接合の光起電力特性 (2003年（平成15年）秋季　第64回応用物理学会学術講演会)
643.	2003/07	Band offset of InN/Si hetero-junctions grown by RF-MBE (第22回電子材料シンポジウム 22nd Electronic Materials Symposium(EMS22))
644.	2003/07	Crystal growth of InN on Si(100) substrates by RF-MBE (第22回電子材料シンポジウム 22nd Electronic Materials Symposium(EMS22))
645.	2003/07	Effects of initial growth processes for the growth of InN on sapphire substrate by RF-MBE (第22回電子材料シンポジウム 22nd Electronic Materials Symposium(EMS22))
646.	2003/07	High In-composition InGaN growth by using MEE-InN buffer layer (第22回電子材料シンポジウム 22nd Electronic Materials Symposium(EMS22))
647.	2003/07	Influences of substrate polarity on the growth of InN by RF-MBE (第22回電子材料シンポジウム 22nd Electronic Materials Symposium(EMS22))
648.	2003/07	MBE成長InN薄膜の透過電子顕微鏡観察 (第33回結晶成長国内会議（NCCG-33）)
649.	2003/07	Observation of excited indium emission by optical emission spectroscopy during InN growth (第22回電子材料シンポジウム 22nd Electronic Materials Symposium(EMS22))
650.	2003/07	RF-MBE法を用いたSi(100)基板上におけるInNの結晶成長 (第33回結晶成長国内会議（NCCG-33）)
651.	2003/07	Structural characterization of InN films grown by RF-MBE (第22回電子材料シンポジウム 22nd Electronic Materials Symposium(EMS22))
652.	2003/07	高温InNバッファ層導入による高品質InN膜の実現 (第33回結晶成長国内会議（NCCG-33）)
653.	2003/05	Effect of AlN buffer layer on the growth of InN epitaxial film on Si substrate (The Fifth International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-5))
654.	2003/05	Influence of substrate polarity on growth of InN films by RF-MBE (The Fifth International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-5))
655.	2003/05	MBE-Growth,Characterization and Properties of InN and InGaN (The Fifth International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-5))
656.	2003/05	Surface treatment of GaN and InN using (NH₄)₂S_X (The Fifth International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-5))
657.	2003/05	TEM Characterization of InN films grown by RF-MBE (The Fifth International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-5))
658.	2003/03	GaN基板上InN成長条件の基板極性依存性 (2003年（平成15年）春季　第50回応用物理学関係連合講演会)
659.	2003/03	InN Narrow Bandgapにおける電気的テ特性のシミュレーション (2003年（平成15年）春季　第50回応用物理学関係連合講演会)
660.	2003/03	RF-MBE成長InNのTEMによる評価 (2003年（平成15年）春季　第50回応用物理学関係連合講演会)
661.	2003/03	RF-MBE法によるSi(111)および(100)基板上InN結晶成長 (2003年（平成15年）春季　第50回応用物理学関係連合講演会)
662.	2003/03	RF-MBE法を用いたInN膜の成長とその特性評価 (2003年（平成15年）春季　第50回応用物理学関係連合講演会)
663.	2003/03	RF-MBE法を用いたシリコン基板上窒化インジウムの結晶成長に関する研究 (電子情報通信学会関西支部学生会　学生発表大会)
664.	2003/03	Sapphire基板上RF-MBE成長InNのエッチングによる極性評価 (2003年（平成15年）春季　第50回応用物理学関係連合講演会)
665.	2003/03	石英ガラス基板上GaN、InN RF-MBE成長における基板窒化の効果 (2003年（平成15年）春季　第50回応用物理学関係連合講演会)
666.	2003/01	RF-MBEによる高In組成InGaNの結晶成長と光学的評価 (レーザー学会学術講演会第23回年次大会)
667.	2003/01	窒化石英ガラス基板上多結晶GaNの結晶成長と発光特性 (レーザー学会学術講演会第23回年次大会)
668.	2002/12	Electrical and optical properties of InN/Si heterostructure (2002 Materials Research Society Fall Meeting (2002 MRS Fall Meeting))
669.	2002/12	Single crystalline InN films grown on Si substrates by using a brief substrate nitridation process (2002 Materials Research Society Fall Meeting (2002 MRS Fall Meeting))
670.	2002/12	Study on cubic GaN growth on (001) rutile TiO₂ substrates by ECR (2002 Materials Research Society Fall Meeting (2002 MRS Fall Meeting))
671.	2002/11	6H-SiC基板上RF-MBE成長GaNの欠陥評価 (平成14年電気関係学会関西支部連合大会)
672.	2002/11	ECVプロファイラによるRF-MBE成長AlGaN/GaNヘテロ構造のキャリア濃度分布評価 (平成14年電気関係学会関西支部連合大会)
673.	2002/10	Growth and properties of Polycrystalline GaN on ZnO/Si substrates by ECR-MBE (29th International Symposium on Compound Semiconductors　(ISCS2002))
674.	2002/10	RF-MBE Growth and Properties of InN and InGaN Alloys with Entire Alloy Composition (The 3rd Japan-Korea Joint Workshop)
675.	2002/10	Single crystalline InN films grown on Si (111) substrates (29th International Symposium on Compound Semiconductors　(ISCS2002))
676.	2002/09	ECR-MBE法による石英ガラス基板上多結晶GaN成長における基板窒化効果 (2002年（平成14年）秋季第63回応用物理学会学術講演会)
677.	2002/09	RF-MBE法で成長した高In組成InGaNの光学的特性 (2002年（平成14年）秋季第63回応用物理学会学術講演会)
678.	2002/09	RF-MBE法により作成したInN/Siヘテロ接合の電気的・光学的特性評価 (2002年（平成14年）秋季第63回応用物理学会学術講演会)
679.	2002/09	RF-MBE法を用いたSiC基板上InN膜成長　－成長温度の基板極性依存― (2002年（平成14年）秋季第63回応用物理学会学術講演会)
680.	2002/09	RF-MBE法を用いたSi基板上単結晶InN薄膜成長　－短時間基板窒化の効果－ (2002年（平成14年）秋季第63回応用物理学会学術講演会)
681.	2002/09	RF-MEE法を用いた単結晶InN成長とその評価 (2002年（平成14年）秋季第63回応用物理学会学術講演会)
682.	2002/09	窒化石英ガラス基板上多結晶GaNの発光特性 (2002年（平成14年）秋季第63回応用物理学会学術講演会)
683.	2002/09	硫化アンモニウムによるGaNの表面処理 (2002年（平成14年）秋季第63回応用物理学会学術講演会)
684.	2002/08	ECR-MBE法を用いた(001)ルチル型TiO₂基板上立方晶GaN成長 (第32回結晶成長国内会議（NCCG-32）)
685.	2002/08	ECR-MBE法を用いたパターニング基板上多結晶GaN成長の検討 (第32回結晶成長国内会議（NCCG-32）)
686.	2002/08	RF-MBE成長したInN/(0001)Sapphireの極微構造観察 (第32回結晶成長国内会議（NCCG-32）)
687.	2002/08	SiC基板上のGaNのエッチングによる転位密度評価 (第32回結晶成長国内会議（NCCG-32）)
688.	2002/08	サファイア基板上InN成長での回転ドメインの存在 (第32回結晶成長国内会議（NCCG-32）)
689.	2002/08	窒化物半導体の新展開 (第32回結晶成長国内会議（NCCG-32）)
690.	2002/07	Effect of nitridation on cystallinity of polycrystalline GaN (International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2002))
691.	2002/07	Growth temperature dependence of Indium Nitride crystalline quality grown by RF-MBE (International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2002))
692.	2002/07	Optical properties of InxGa1-xN with entire alloy composition on InN buffer layer grown by RF-MBE (International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2002))
693.	2002/06	Growth and Optical Properties of InxGa1-xＮ With Entire Alloy Composition Grown on InN Buffer Layer by RF-MBE (第21回電子材料シンポジウム 21st Electronic Materials Symposium (EMS21）)
694.	2002/06	Growth of InN on Si(111) substrates by RF-MBE (第21回電子材料シンポジウム 21st Electronic Materials Symposium (EMS21）)
695.	2002/06	RF-MBE成長単結晶InN膜の光学特性 (電子情報通信学会　合同研究会)
696.	2002/05	ECR-MBE法によるZnO/Si基板上多結晶GaNの結晶成長 (電子情報通信学会　合同研究会)
697.	2002/05	RF-MBE法を用いた高In組成InxGa1-xNの結晶成長と特性評価 (電子情報通信学会　合同研究会)
698.	2002/05	The c-axis and a-axis orientations in InN grown directly on (0001) sapphire substrate by RF-MBE (14th Indium Phosphide and Related Materials Conference (IPRM2002))
699.	2002/03	ECR-MBE法によるZnO/Si基板上多結晶GaNの3段階成長に関する検討 (2002年（平成14年）春季第49回応用物理学関係連合講演会)
700.	2002/03	ECR-MBE法による（001）ルチル型TiO₂基板上c-GaN成長の検討 (2002年（平成14年）春季第49回応用物理学関係連合講演会)
701.	2002/03	KOHを用いた光電気化学エッチングによるGaNの評価 (2002年（平成14年）春季第49回応用物理学関係連合講演会)
702.	2002/03	RF-MBE成長InN結晶性の成長温度依存性 (2002年（平成14年）春季第49回応用物理学関係連合講演会)
703.	2002/03	RF-MBE成長したサファイア基板上InN薄膜のTEM観察 (2002年（平成14年）春季第49回応用物理学関係連合講演会)
704.	2002/03	RF-MBE法InN成長における低温InNバッファ層の効果 (2002年（平成14年）春季第49回応用物理学関係連合講演会)
705.	2001/11	Investigation of the Optimum Growth Conditions of Wide-Bandgap Quaternary InAlGaN for UV-LEDs (2001 Materials Research Society Fall Meeting (2001MRS Fall Meeting))
706.	2001/11	Two Step Growth of InN Films on Sapphire (0001) Substrates Without Nitridation Process by RF-MBE (2001 Materials Research Society Fall Meeting (2001MRS Fall Meeting))
707.	2001/11	平面波展開法による２次元フォトニック結晶のバンド構造の解析 (平成13年電気関係学会関西支部連合大会(KJCIEE2001))
708.	2001/10	Growth Condition Dependence of InN film a-Axis Directions on Sapphire(0001) Substrate (28th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2001))
709.	2001/09	CAICISSを用いたRF-MBE成長InNの極性評価 (2001年（平成13年）秋季第62回応用物理学会学術講演会)
710.	2001/09	ECR-MBE法によるZnO/Si基板上多結晶GaN高温成長に関する基本検討 (2001年（平成13年）秋季第62回応用物理学会学術講演会)
711.	2001/09	RF-MBE法による高In組成InGaN結晶成長に関する検討 (2001年（平成13年）秋季第62回応用物理学会学術講演会)
712.	2001/09	RF-MBE法による窒化処理なしサファイア基板上InN薄膜二段階成長 (2001年（平成13年）秋季第62回応用物理学会学術講演会)
713.	2001/09	X線回折による水素混入ECR-MBE成長GaN薄膜の評価 (2001年（平成13年）秋季第62回応用物理学会学術講演会)
714.	2001/09	サファイア(0001)基板上InN薄膜のa軸方位と成長条件の関係 (2001年（平成13年）秋季第62回応用物理学会学術講演会)
715.	2001/09	基板バイアス変化による立方晶・六方晶GaN構造制御に対する水素混入の効果 (2001年（平成13年）秋季第62回応用物理学会学術講演会)
716.	2001/07	Effect of hydrogen on morphological changes in columnar structure of GaN grown by ECR-MBE (The 13th Internationals Conference on Crystal Growth in conjunction with The 11th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy (ICCG-13/ICVGE-11))
717.	2001/07	Effect of sapphire substrate nitridation on determining rotation domain in GaN growth (The 13th Internationals Conference on Crystal Growth in conjunction with The 11th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy (ICCG-13/ICVGE-11))
718.	2001/07	Growth of thicker and high quality InN using low-temperature intermediate layer (The 13th Internationals Conference on Crystal Growth in conjunction with The 11th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy (ICCG-13/ICVGE-11))
719.	2001/07	Polarity of High-quality Indium Nitride grown by RF Molecular Beam Epitaxy (The 4th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-4))
720.	2001/07	Structural Control of Cubic and Hexagonal GaN by Changing the Electric Bias During ECR-MBE Growth (The 4th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-4))
721.	2001/07	Study of epitaxial relationship in InN growth on sapphire (0001) by RF-MBE (The 4th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-4))
722.	2001/06	Effect of hydrogen on morphological changes in columnar structure of GaN grown by ECR-MBE (第20回電子材料シンポジウム 20th Electronic Materials Symposium (EMS20))
723.	2001/06	Effect of nitridation of sapphire (0001) substrates on InN growth by RF-MBE (第20回電子材料シンポジウム 20th Electronic Materials Symposium (EMS20))
724.	2001/03	ECR-MBE法により成長した柱状構造GaNの形態変化に対する水素の効果 (2001年（平成13年）春季第48回応用物理学関係連合講演会)
725.	2001/03	ECR-MBE法によるGaN結晶成長におけるメッシュバイアスの効果 (2001年（平成13年）春季第48回応用物理学関係連合講演会)
726.	2001/03	RF-MBE成長InN膜のキャリア濃度と移動度の関係 (2001年（平成13年）春季第48回応用物理学関係連合講演会)
727.	2001/03	RF-MBE法によるInN成長におけるサファイア基板窒化の効果 (2001年（平成13年）春季第48回応用物理学関係連合講演会)
728.	2001/03	水素・窒素混合プラズマを用いたECR-MBE成長GaNの構造と発光特性 (2001年（平成13年）春季第48回応用物理学関係連合講演会)
729.	2000/11	Cathodo luminescence and micro-structure of polycrystalline GaN grown on ZnO/Si (2000 Materials Research Society Fall Meeting (2000 MRS Fall Meeting))
730.	2000/11	Electrical property of InN grown by RF-MBE (2000 Materials Research Society Fall Meeting (2000 MRS Fall Meeting))
731.	2000/11	Relationship between microscopic structure and optical property of polycrystalline GaN on silica glass (2000 Materials Research Society Fall Meeting (2000 MRS Fall Meeting))
732.	2000/11	RF-MBE成長InNにおけるサファイヤ基板窒化の効果 (平成12年電気関係学会関西支部連合大会)
733.	2000/11	ZnO/Si基板上多結晶GaNの低温バッファ層の検討 (平成12年電気関係学会関西支部連合大会)
734.	2000/11	レーザ干渉を用いた二次元フォトニック結晶作製法の提案と平面波展開法を用いたGaNフォトニック結晶の評価 (平成12年電気関係学会関西支部連合大会)
735.	2000/11	基板バイアス変化によるECR-MBE成長GaN結晶の構造制御 (平成12年電気関係学会関西支部連合大会)
736.	2000/10	RF-MBE法によるSiC基板上GaN成長における水素添加効果 (電子情報通信学会　合同研究会)
737.	2000/10	RF-MBE法を用いて成長したInN膜の電気的特性 (電子情報通信学会　合同研究会)
738.	2000/10	ZnO/Siおよび石英ガラス基板上多結晶GaNの極微構造とCL特性 (電子情報通信学会　合同研究会)
739.	2000/09	(001)ルチル型TiO₂基板上の立方晶GaN成長の予備検討 (2000年（平成12年）秋季第61回応用物理学会学術講演会)
740.	2000/09	Annealing Effect of Low Temperature Growth of InN Films by RF-MBE (International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2000))
741.	2000/09	ECR-MBE成長GaN薄膜の結晶性に及ぼす水素の影響 (2000年（平成12年）秋季第61回応用物理学会学術講演会)
742.	2000/09	RF-MBE法によるInN膜の電気的特性 (2000年（平成12年）秋季第61回応用物理学会学術講演会)
743.	2000/09	Structural Analysis of AlN Films Grown on SiC Substrate by RF-MBE and RF-MEE (International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2000))
744.	2000/09	ZnO基板上多結晶GaNのCL評価 (2000年（平成12年）秋季第61回応用物理学会学術講演会)
745.	2000/09	水素・窒素混合プラズマを用いたRF-MBE法によるGaN/SiC成長 (2000年（平成12年）秋季第61回応用物理学会学術講演会)
746.	2000/09	水素混入ECR-MBE成長GaNの結晶構造のV/III比依存性 (2000年（平成12年）秋季第61回応用物理学会学術講演会)
747.	2000/09	石英ガラス基板上多結晶GaNの極微構造と発光特性の関連性 (2000年（平成12年）秋季第61回応用物理学会学術講演会)
748.	2000/09	低温成長/アニール多層成長を用いたInNの表面モフォロジーに関する検討 (2000年（平成12年）秋季第61回応用物理学会学術講演会)
749.	2000/07	Electron-Cyclotron-Resonance Plasma Excited Molecular Beam Epitaxy of GaN (1st Japan-Korea Joint Workshop on Advanced Semiconductor Process and Equipments)
750.	2000/07	Growth of AlN films on SiC substrates by RF-MBE and RF-MEE (4th European GaN Workshop)
751.	2000/07	水素・窒素混合プラズマを用いたECR-MBE成長GaN薄膜の構造評価 (第31回結晶成長国内会議(NCCG-31))
752.	2000/06	In-situ observation of RF-MBE grown GaN by CAICISS (第19回電子材料シンポジウム 19th Electronic Materials Symposium (EMS19))
753.	2000/03	Growth of Cubic and Hexagonal GaN on (0001) Sapphire by ECR-MBE with Various Electric Biases (The Third SANKEN International Symposium)
754.	2000/03	RF-MBE成長GaNのCAICISSによるその場観察 (2000年（平成12年）春季第47回応用物理学関係連合講演会)
755.	2000/03	RF-MBE法によるInNの低温成長－アニール効果 (2000年（平成12年）春季第47回応用物理学関係連合講演会)
756.	2000/03	RF-MBE法及びRF-MEE法によるSiC基板上のAlN成長 (2000年（平成12年）春季第47回応用物理学関係連合講演会)
757.	1999/11	Structure and morphology characters of GaN grown by ECR-MBE using hydrogen-nitrogen mixed gas plasma (99 Materials Research Society Fall Meeting (99 MRS Fall meeting))
758.	1999/10	MBE法によるGaN成長と励起窒素源に関する検討 (電子情報通信学会　合同研究会)
759.	1999/09	Structural Analysis of GaN Layers with Columnar Domains Grown by Hydrogen-Assisted ECR-MBE (8th International Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors (DRIP-8))
760.	1999/09	基板バイアスにより制御したECR-MBE成長立方晶・六方晶GaNの構造評価 (1999年（平成11年）秋季第60回応用物理学会学術講演会)
761.	1999/09	水素・窒素混合プラズマを用いたECR-MBE GaN成長における構造変化(II) (1999年（平成11年）秋季第60回応用物理学会学術講演会)
762.	1999/07	Microstructure of Cubic and Hexagonal GaN Grown on Sapphire (0001) by ECR-MBE with Various Electric Biases (3rd International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS3))
763.	1999/07	Structural characterization of GaN grown by hydrogen-assisted ECR-MBE using transmission electron microscope (7th International Conference on Chemical Beam Epitaxy and Related Growth Techniques (ICCBE-7))
764.	1999/06	Structural characterization of cubic and hexagonal GaN grown on sapphire (0001) by ECR-MBE with various electric biases (第18回電子材料シンポジウム 18th Electronic Materials Symposium (EMS18))
765.	1999/06	Surface Morphology of GaN Grown by ECR-MBE using Hydrogen-Nitrogen Mixed Gas Plasma (第18回電子材料シンポジウム 18th Electronic Materials Symposium (EMS18))
766.	1999/03	RF-MBE法によるInN/(0001)Sapphire結晶成長 (1999年（平成11年）春季第46回応用物理学関係連合講演会)
767.	1999/03	V/III比変化に伴うGaN結晶構造変化に関する研究 (第4回電子情報通信学会学生会研究発表講演会)
768.	1999/03	水素・窒素混合プラズマを用いたECR-MBE GaN成長における構造変化 (1999年（平成11年）春季第46回応用物理学関係連合講演会)
769.	1998/11	ZnO/Si基板上および石英ガラス基板上多結晶GaNの結晶構造と発光特性 (電子情報通信学会　合同研究会)